1.一种具有电荷积累效应的超结EA‑SJ‑FINFET器件，该器件包括上面部分和下面部分，其特征在于，所述上面部分包括控制区、导电区和氧化物隔离层(9)；所述控制区包括源栅隔离氧化层(2)、控制区的P‑body(4)、控制区的P型外包层(3)、控制区的漏极N‑buffer区(8)和漏极P+区(5)；所述导电区包括源极金属Al(1)、源极P+区(13)、源极N+区(14)、导电区的P‑body(15)、漂移区(12)、导电区的漏极N‑buffer区(7)、漏极N+区(6)组成；

所述源极金属Al(1)下表面与源极P+区(13)和源极N+区(14)的上表面接触，其右表面、前表面和后表面与源栅隔离氧化层(2)的左凹面接触；

所述源栅隔离氧化层(2)位于源极金属Al(1)的外部，将源极金属Al(1)与控制区的P‑body(4)隔离，从而阻断控制区与导电区的电气连接；所述源栅隔离氧化层(2)的右表面与控制区的P‑body(4)接触，其下表面与氧化物隔离层(9)接触；

所述控制区的P‑body(4)的左凹面与源栅隔离氧化层(2)接触，其右表面与控制区的P型外包层(3)接触，其下内凹面与源极部分的氧化物隔离层(9)的上表面接触；

所述控制区的P型外包层(3)左表面与控制区的P‑body(4)右表面接触，其右表面与控制区的漏极N‑buffer区(8)左表面接触，其下内凹面与漂移区中的部分氧化物隔离层(9)外表面接触；

所述控制区的漏极N‑buffer区(8)左表面与控制区的P型外包层(3)右表面接触，其右上表面与漏极P+区(5)左下表面接触，其下凹面与部分氧化物隔离层(9)外表面接触；

所述漏极P+区(5)左表面与控制区的漏极N‑buffer区(8)右上表面接触，其右凹表面与漏极N+区(6)左表面接触，其下表面与控制区的漏极N‑buffer区(8)上右表面、部分氧化物隔离层(9)上表面接触；

所述源极P+区(13)上表面与源极金属Al(1)部分下表面接触，其右表面与源极N+区(14)的左表面接触，其下表面与导电区的P‑body(15)的上左表面接触，其前表面和后表面与部分氧化物隔离层(9)接触；

所述源极N+区(14)左表面与源极P+区(13)右表面接触，其上表面与源极金属Al(1)部分下表面接触，其下表面与导电区的P‑body(15)的上左表面接触，其前表面和后表面与部分氧化物隔离层(9)接触；

所述导电区的P‑body(15)的左凹面与源极P+区(13)下表面、源极N+区(14)下表面和右表面接触，其下表面与下面部分上表面接触，其右表面与漂移区(12)左表面接触，其上表面、前表面和后表面与氧化物隔离层(9)部分内下凹面接触；

所述漂移区(12)的下表面与下面部分上表面接触，其左表面与导电区的P‑body(15)右表面接触，其右表面与导电区的漏极N‑buffer区(7)左表面接触，其前表面、后表面、上表面与氧化物隔离层(9)部分内下凹面接触；

所述导电区的漏极N‑buffer区(7)下表面与下面部分上表面接触，其上表面、前表面和后表面与氧化物隔离层(9)部分内下凹面接触，同时其上表面还与极N+区(6)下表面接触；

所述漏极N+区(6)的左表面、前表面和后表面与氧化物隔离层(9)和漏极P+区(5)的右凹面接触，其下表面与导电区的漏极N‑buffer区(7)上右表面接触；

所述氧化物隔离层(9)的前、后下表面与下面部分接触。

2.根据权利要求1所述的超结EA‑SJ‑FINFET器件，其特征在于，所述下面部分包括衬底(11)。

3.根据权利要求1所述的超结EA‑SJ‑FINFET器件，其特征在于，所述下面部分包括埋氧层(10)和衬底(11)。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的超结EA‑SJ‑FINFET器件，其特征在于，该器件还包括替换所述控制区的P型外包层(3)的控制区的N型外包层。

5.根据权利要求1～3中任意一项所述的超结EA‑SJ‑FINFET器件，其特征在于，将N型EA‑SJ‑FINFET器件对应替换为P型EA‑SJ‑FINFET器件。

6.根据权利要求1～3中任意一项所述的超结EA‑SJ‑FINFET器件，其特征在于，该器件还包括替换所述控制区的P型外包层(3)的前后两个控制区的P型外包层，以及位于中间的N型覆盖层(16)。

7.根据权利要求1～3中任意一项所述的超结EA‑SJ‑FINFET器件，其特征在于，该器件还包括替换所述控制区的P型外包层(3)的一半控制区的P型外包层和一半控制区的N型覆盖层(16)。

8.根据权利要求1～3中任意一项所述的超结EA‑SJ‑FINFET器件，其特征在于，该器件还包括在漂移区(12)中引入的P型柱。

9.根据权利要求1～3中任意一项所述的超结EA‑SJ‑FINFET器件，其特征在于，对漂移区(12)进行线性掺杂。