1.一种高熵低硼化物陶瓷，其特征在于：所述高熵低硼化物陶瓷为单相四方结构，原子百分比表达式为（NbCrMoWFe）B0.8。

2.一种制备权利要求1所述的高熵低硼化物陶瓷的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将各原料粉末混合均匀，制备得到混合粉末；

S2：采用热压烧结技术，将步骤S1制备的混合粉末放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，烧结结束后，冷却至室温，得到0.8。

3.根据权利要求2所述的一种高熵低硼化物陶瓷的制备方法，其特征在于：所述原料粉末分别Nb粉、Fe粉、MoB粉、WB粉和CrB2粉，各粉末纯度均高于99.5%。

4.根据权利要求3所述的一种高熵低硼化物陶瓷的制备方法，其特征在于：所述Nb、Fe、MoB、WB和CrB2的摩尔比为1:1:1:1:1。

5.根据权利要求4所述的一种高熵低硼化物陶瓷的制备方法，其特征在于：所述，WB粉的粒度为10～15μm，CrB2粉的粒度为3～5μm。

6.根据权利要求4或5所述的一种高熵低硼化物陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤S1的具体制备步骤为：

S11：将各原料粉末按照等摩尔比例进行称量；

S12：将S11称量的粉末装入玛瑙球磨罐中，球粉比为5:1，大球与小球的质量比为1:1，采用真空硅脂密封球磨罐，并向球磨罐中充入氩气；

S13：采用行星式球磨机对原料混合粉末进行球磨，转速为220r/min，球磨时间为10h。

7.根据权利要求2所述的一种高熵低硼化物陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中的热压烧结温度为1400～1600℃，升温速率为10℃/min，升到烧结温度后保温时间为2h。

8.根据权利要求2或7所述的一种高熵低硼化物陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，烧结的升温过程采用10MPa的预压力，升到温度后采用30MPa保压，在烧结过程中石‑2

墨模具中的真空度需保持低于1.8×10 Pa。