1.一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法，其特征在于，该方法按以下步骤进行：

步骤一、硝酸铟加入有机溶剂中，搅拌下加热，然后过滤；

步骤二、量取步骤一所得溶液，高速旋涂于晶圆级尺寸的基底上，进行加热除杂后再受热分解，得到氧化铟薄膜，再对氧化铟薄膜进行高温退火处理；

步骤三、将步骤二所得薄膜置于CVD炉中在氩气与氢气氛围下进行高温硒化，得到大尺寸二维In2Se3薄膜。

2.根据权利要求1所述一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法，其特征在于，步骤一中所述有机溶剂为乙二醇甲醚，步骤一中所述硝酸铟溶液浓度为0.1mol/ml～0.5mol/ml。

3.根据权利要求1所述一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法，其特征在于，步骤一中所述溶液加热温度为70℃～80℃，搅拌转速为400rpm～1200rpm，加热搅拌足够的时间为8h～20h。

4.根据权利要求1所述一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法，其特征在于，步骤一中所述过滤为微米级过滤。

5.根据权利要求1所述一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法，其特征在于，步骤二中量取30μl～500μl步骤一所得溶液。

6.根据权利要求1所述一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法，其特征在于，步骤二中所述高速旋涂转速为2000rpm～6000rpm，步骤二中所述高速旋涂时间为

60s。

7.根据权利要求1所述一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法，其特征在于，步骤二中所述加热除杂是按下述操作进行的：在7min内升温至100℃并保持5min；

再在3min内升温至130℃并保持60min；然后在15min时间内升温至300℃；步骤二中所述受热分解温度为300℃，受热分解时间为60min～120min。

8.根据权利要求1所述一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法，其特征在于，步骤二中所述高温退火温度为500℃，高温退火时间为60min～120min。

9.根据权利要求1所述一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法，其特征在于，步骤三中所述氩气与氢气氛围之比为(4～1):1，氩气通量为20sccm～40sccm，氢气通量为5sccm～20sccm，步骤三中所述氩气使用时间为从加热到降温的全程时间，氢气使用时间从加热到高温反应结束，具体时间为40min～140min。

10.根据权利要求1所述一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法，其特征在于，步骤三中所述高温硒化温度为630℃～700℃，相应的硒粉加热温度为180℃～

220℃，反应时间为10min～90min。