1.一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，包括主封装箱（1），其特征在于，所述主封装箱（1）的底面螺纹连接有支撑底块（2），所述主封装箱（1）的两侧边对称焊接有固定侧板（3），所述固定侧板（3）的一侧边螺栓连接有推动气缸（4），所述主封装箱（1）的两侧边对称开设有侧卡槽（5），所述侧卡槽（5）的内侧边卡接有活动推板（6），所述活动推板（6）在远离固定侧板（3）的一侧边水平焊接有延伸支杆（7），所述延伸支杆（7）在远离活动推板（6）的一端水平焊接有固定横杆（8），所述固定横杆（8）的一侧边垂直焊接有底托板（9），所述底托板（9）在远离固定横杆（8）的一端顶面水平开设有导热框（10），所述底托板（9）的顶面固定卡接有卡料底板（11），所述卡料底板（11）的顶面均匀开设有卡料槽（12），所述主封装箱（1）在靠近固定横杆（8）的一侧边开设有延伸通孔（13），所述主封装箱（1）的顶面螺栓连接有顶压气缸（14），所述主封装箱（1）的顶面镶嵌有控制键（15），所述底托板（9）的顶面水平对接有密封外罩（16），所述密封外罩（16）的外侧边熔接有塑封边框（17），所述塑封边框（17）的侧边插接有连接杆（18），所述连接杆（18）在远离塑封边框（17）的一端开设有穿线孔（19），所述主封装箱（1）在远离延伸通孔（13）的一侧边螺栓连接有后推气缸（20），所述主封装箱（1）的内侧边固定套接有内隔离层（21），所述主封装箱（1）的底面均匀开设有底螺孔（22），所述主封装箱（1）的侧壁内部镶嵌有控制主板（23），所述顶压气缸（14）的输出端水平焊接有顶加热框（24），所述内隔离层（21）的内侧底面垂直向上焊接有底支撑块（25），所述底支撑块（25）的顶面水平焊接有顶托板（26），所述顶托板（26）的顶面水平开设有卡板槽（27），所述内隔离层（21）的内侧底面螺栓连接有温度箱（28），所述温度箱（28）的输出端电性连接有连接线（29），所述内隔离层（21）的内侧底面螺栓连接有泵体（30），所述后推气缸（20）的输出端固定焊接有对接板（31），所述对接板（31）在远离后推气缸（20）的一侧边插接有插接管（32），所述对接板（31）的侧边插接有连接软管（33），所述顶加热框（24）与顶托板（26）的内侧边镶嵌有加热丝（34），所述密封外罩（16）的内侧边固定套接有内撑层（35），所述密封外罩（16）的内侧边水平设置有绝缘层板（36），所述绝缘层板（36）的两侧边对称水平粘接有导电层板（37），一块所述绝缘层板（36）的侧边焊接有硅芯片（38），一块所述绝缘层板（36）的侧边焊接有氮化镓芯片（39），所述氮化镓芯片（39）的侧边插接有连接导线（40）。

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，其特征在于，所述支撑底块（2）的个数为四个，且四个支撑底块（2）分别对接设置在底螺孔（22）的底开口端位置，四个支撑底块（2）的顶端螺杆插接在对应的底螺孔（22）的内侧边螺纹固定连接设置，固定侧板（3）的个数为两块，且两块固定侧板（3）分别对称垂直设置在主封装箱（1）的两侧边靠近边缘位置。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，其特征在于，所述推动气缸（4）的个数与固定侧板（3）的个数保持一致设置，且推动气缸（4）的输出端水平贯穿固定侧板（3）的侧壁垂直焊接在活动推板（6）的一侧边位置，活动推板（6）的个数与固定侧板（3）的个数保持一致设置，且活动推板（6）与固定侧板（3）相互之间平行设置，活动推板（6）的一端垂直卡接在侧卡槽（5）的内侧边位置。

4.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，其特征在于，所述延伸支杆（7）的一端垂直焊接在活动推板（6）的一侧边中心位置，且两根延伸支杆（7）相互之间平行对称设置在主封装箱（1）的两侧边位置，固定横杆（8）的两端垂直焊接在两根延伸支杆（7）远离活动推板（6）的一端之间侧边位置，底托板（9）的一端垂直焊接在固定横杆（8）靠近主封装箱（1）的一侧边中心位置，且底托板（9）在远离固定横杆（8）的一端水平对接在延伸通孔（13）的中心位置，卡料底板（11）采用耐高温材料制作，且固定设置在靠近导热框（10）的边缘位置，底托板（9）采用高效导热材料制作设置。

5.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，其特征在于，所述卡料槽（12）的个数为多个，且多个卡料槽（12）相互之间平行设置，延伸通孔（13）贯穿主封装箱（1）侧壁延伸至内部，且延伸通孔（13）的内部与内隔离层（21）的内部保持通接设置，顶压气缸（14）的输出端垂直向下贯穿主封装箱（1）的顶面延伸至内部，且顶压气缸（14）固定设置在主封装箱（1）的顶面中心位置，密封外罩（16）采用热收缩材料制作，且密封外罩（16）呈两个碗状结构相互扣接设置在导电层板（37）的顶面和底面位置，密封外罩（16）卡接设置在导热框（10）的内侧边位置，且塑封边框（17）的底面对接在导热框（10）的顶开口边缘位置。

6.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，其特征在于，所述连接杆（18）的个数为多根，且多根连接杆（18）相互之间平行，多根连接杆（18）的一端贯穿塑封边框（17）延伸至密封外罩（16）的内侧边位置，且延伸端分别与硅芯片（38）、氮化镓芯片（39）和连接导线（40）相互保持电性连接设置，后推气缸（20）的输出端水平贯穿主封装箱（1）的侧壁延伸至内部，底螺孔（22）均竖直向开设在主封装箱（1）的底面四边角位置，控制主板（23）与控制键（15）相互之间保持电性连接设置，顶加热框（24）与顶托板（26）相互之间叠加式平行设置，且顶压气缸（14）的输出端垂直向下焊接在顶加热框（24）的顶面靠近一侧边位置。

7.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，其特征在于，所述顶托板（26）与延伸通孔（13）的中心位置设置保持在同一水平面位置，卡板槽（27）的规格尺寸与底托板（9）的规格尺寸保持一致设置，且卡板槽（27）在靠近延伸通孔（13）的一侧边开设有开口，连接线（29）在远离温度箱（28）的一端贯穿顶托板（26）和顶加热框（24）的侧壁延伸内部，且延伸端与加热丝（34）保持电性连接设置，连接软管（33）的一端固定套接在泵体（30）的输出端，且另一端与插接管（32）相互之间保持通接设置。

8.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，其特征在于，所述绝缘层板（36）的四周侧边水平设置在塑封边框（17）的之间位置，导电层板（37）的个数为两块，且两块导电层板（37）相互之间叠加式平行设置在绝缘层板（36）的顶面和底面中心位置。

9.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，其特征在于，所述硅芯片（38）和氮化镓芯片（39）分别固定设置在两块导电层板（37）的顶面和底面位置，且硅芯片（38）和氮化镓芯片（39）均与导电层板（37）相互之间保持电性连接设置，连接导线（40）的一端固定连接在氮化镓芯片（39）导电端，且另一端焊接在一块导电层板（37）的侧边保持电性连接设置。