3+

1.一种Cr 掺杂堇青石结构宽带近红外荧光粉，其特征在于化学组成如下：(AxBy)2‑bC4‑3+

aD5O18:aCr ,bRE，其中A、B为Mg、Ca、Zn、Ni、Li、Na、K、Sc、Lu、Gd中的一种或几种组合；C为Al、Ga、Lu、Gd中的一种或多种组合；D为Si、Ge、Te、Sn中的一种或多种组合；RE为Yb、Nd、Ce、Er、Pr中的一种或几种组合；

其中，0≤x<1，0≤y<1，x+y＝1，0＜a≤0.5，0≤b＜0.2；

3+

所述Cr 掺杂堇青石结构宽带近红外荧光粉在紫外光或者400～470nm蓝光激发下具有宽带近红外发光；将荧光粉与紫外或蓝光LED芯片封装后制得近红外光源，其发射峰在600～1350nm之间，半峰宽为150～350nm，内量子效率为45～88％，473K温度下发光强度保持室温的70％以上。

3+

2.根据权利要求1所述的Cr 掺杂堇青石结构宽带近红外荧光粉的制备方法，其特征在于，采用高温固相烧结法制备，具体步骤如下：3+ 3+

(a)依据分子式(AxBy)2‑bC4‑aD5O18:aCr ,bRE，按照化学计量比称取含A、B、C、D、Cr 和RE的原料进行充分混合，加入一定量的助熔剂，研磨均匀，过筛；

(b)将步骤(a)中所得混合料装入刚玉坩埚或石墨坩埚移入电阻炉在一定温度下烧结并保温一段时间，后随炉冷却至室温；

3+

(c)将步骤(b)得到的烧结产物经过充分研磨、洗涤、烘干、过筛，即可得到一种Cr 掺杂堇青石结构宽带近红外荧光粉。

3+

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于含A、B、C、D、Cr 和RE的原料为各元素对应的氢氧化物或氧化物或硝酸盐或碳酸盐。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述助熔剂为H3BO3、Li2CO3、CaF2、P2O5、LiF、NH4F、K2CO3原料的组合，其加入的含量为荧光材料总质量的0～10wt.％。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为1250～1500℃，保温时间为2～10h。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于马弗炉加热，升温速率为3～8℃/min，加热气氛为空气气氛。

3+

7.权利要求1所述的Cr 掺杂堇青石结构宽带近红外荧光粉在近红外LED光源中的用途。

8.根据权利要求7所述的用途，其特征在于：将上述近红外荧光粉与硅胶混合得到浆料，将浆料涂覆在LED芯片上，经固化得到近红外LED光源。