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专利号: 2021105347916
申请人: 安徽师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-08
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种三维花状超薄二维Ce、B掺杂的Pt纳米片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

(1)将铂源溶液和铈源溶液溶入到去离子水中,超声混合均匀,直至溶液颜色变成淡黄色,得到前驱体溶液;

(2)向前驱体溶液中加入冰水硼氢化钠溶液,常温静置反应,反应结束后,经洗涤、离心、干燥,得即可得到三维花状超薄二维Ce、B掺杂的Pt纳米片。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述常温静置反应的反应时间为8h。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述铂源溶液为氯铂酸水溶液;所述铈源溶液为硝酸铈水溶液。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,铂源、铈源、硼氢化钠的摩尔量之比为(2~4):(2~4):(8~12)。

5.如权利要求1‑4任意一项所述的制备方法制备得到的三维花状超薄二维Ce、B掺杂的Pt纳米片,其特征在于,其形貌为超薄二维Ce、B掺杂的Pt纳米片组装成的三维花状形貌。

6.如权利要求5所述的三维花状超薄二维Ce、B掺杂的Pt纳米片在催化葡萄糖氧化中的应用。

7.根据权利要求6所述的三维花状超薄二维Ce、B掺杂的Pt纳米片在催化葡萄糖氧化中的应用,其特征在于,催化的环境为碱性环境。

8.如权利要求5所述的三维花状超薄二维Ce、B掺杂的Pt纳米片在催化甘油氧化中的应用。

9.根据权利要求8所述的三维花状超薄二维Ce、B掺杂的Pt纳米片在催化甘油氧化中的应用,其特征在于,催化的环境为碱性环境。