1.一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，所述的原位阵列电极为二硫化钼纳米片与硫化钴纳米颗粒的复合电极，具体制备方法为：（1）在基底表面水热生长二硫化钼或硫化钴钼，获得Mo‑S或Co‑Mo‑S纳米片阵列电极；

（2）将钴盐溶于挥发非水溶剂，并涂布到上述纳米片阵列电极表面，干燥待用；

（3）再将第（2）步样品放入S气氛中，进行硫化钴纳米颗粒的原位沉积，随炉冷却取出，即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极。

2.权利要求1所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述的Co‑Mo‑S纳米片中Co：Mo原子比为0.1 0.34：1。

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3.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的挥发非水溶剂，包括：乙醇、N, N‑二甲基甲酰胺、甲酰胺。

4.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的钴盐易溶于极性易挥发非水溶剂，钴盐中钴元素的浓度为200~

1200 mM。

5.权利要求1所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的钴盐包括氯化钴、乙酸钴、硫酸钴、硝酸钴中的一种或混合。

6.权利要求1所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的S气氛是通过硫粉蒸发产生，并以Ar气或N2气为载气运载传输至反应样品表面。

7.权利要求1 所述的二硫化钼纳米片@硫化钴纳米颗粒原位阵列电极的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的原位沉积，反应温度为500 600℃，反应时间为1 3 h，特别地反~ ~

应温度为550℃，反应时间为2 h。