1.一种温度探测装置，其特征在于，所述装置包括：吸热层、半导体柱、隔热层、绝缘层、石墨烯层、第一电极和第二电极；所述绝缘层和所述隔热层中间位置均设置有通孔，且所述绝缘层设置在所述石墨烯层的一侧，所述隔热层设置在所述绝缘层远离所述石墨烯层的一侧，所述第一电极和所述第二电极分别设置在所述石墨烯层的两端，所述半导体柱的形状为“T”形结构，“T”形结构的所述半导体柱的长端依次穿过所述绝缘层和所述石墨烯层的孔洞，并与所述石墨烯层的表面接触，所述吸热层罩设在所述半导体柱的短端一侧，并将热量传递给所述半导体柱。

2.根据权利要求1所述的温度探测装置，其特征在于，所述吸热层的表面覆盖设置有黑铬涂层。

3.根据权利要求2所述的温度探测装置，其特征在于，所述装置还包括导热层，所述导热层设置在所述吸热层和所述半导体柱之间。

4.根据权利要求3所述的温度探测装置，其特征在于，所述导热层表面设置有凹槽，所述凹槽的尺寸等于“T”形结构的所述半导体柱的短端的尺寸，且所述导热层的所述凹槽与“T”形结构的所述半导体柱的短端嵌套设置。

5.根据权利要求4所述的温度探测装置，其特征在于，所述半导体柱的短端设置有多个孔洞。

6.根据权利要求5所述的温度探测装置，其特征在于，所述装置还包括传热导线，所述传热导线穿过所述半导体柱的短端的多个孔洞与所述导热层连接。

7.根据权利要求6所述的温度探测装置，其特征在于，所述石墨烯层为多层石墨烯结构。

8.根据权利要求1‑7任意一项所述的温度探测装置，其特征在于，所述半导体柱的材料为锑化铟材料。