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专利号: 2021104617316
申请人: 厦门理工学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 其他类目不包含的电技术
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:提供一卷对卷生产装置,卷带包括依次相连接的第一牵引带(L1)、电路板带(L2),以及第二牵引带(L3);

S2:驱动所述卷带向前活动,让所述电路板带(L2)进行整孔、黑影和定影;

S3:驱动所述卷带向前活动,让所述电路板带(L2)经过第一微蚀槽(8),同时对电路板带(L2)以频率f1进行超声波震动;

S4:驱动所述卷带向前活动,让所述电路板带(L2)经过第二微蚀槽(10),同时对电路板带(L2)以频率f2进行超声波震动;

S5:驱动所述卷带向前活动,让所述电路板带(L2)经过冲洗槽(12),以对所述电路板带(L2)进行冲洗;

S6:驱动所述卷带向前活动,对所述电路板带(L2)进行吹烘;

S7:驱动所述卷带向前活动,通过检测机构(14)对所述电路板带(L2)的铜箔进行干膜结合力测试;

S8:若铜箔的干膜结合力测试合格,继续驱动所述卷带向前活动,让所述电路板带(L2)分别进行酸洗、电镀和抗氧化处理。

2.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,在上述步骤S8中,若铜箔的干膜结合力测试不合格,逆向驱动卷带活动,让所述电路板带(L2)再次进行经过所述第一微蚀槽(8)和所述第二微蚀槽(10)。

3.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,f2大于f1。

4.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,f1为35~40kHz,f2为

40~45kHz。

5.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,在步骤S5中,通过设置多个冲洗器对所述电路板带(L2)进行冲洗。

6.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,在步骤S6中,通过第二吹烘组件(13)对所述电路板带(L2)进行吹烘,所述第二吹烘组件(13)可活动的支撑于所述电路板带(L2)的上方和/或下方,所述第二吹烘组件(13)设置有多个对着所述电路板带(L2)的风孔(131)。

7.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,所述检测机构(14)包括能够伸缩的检测组件(141),以及对应所述检测组件(141)且贴近所述电路板带(L2)上下表面的支撑组件(142)。

8.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,在步骤S7中,检测机构(14)还包括粗糙度检测组件(141),该粗糙度检测组件(141)用以对所述电路板带(L2)的铜箔进行粗糙度测试。