1.一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管,包括位于底部的阴极电极,位于所述阴极电极上部的衬底,位于所述衬底上部的漂移层,其特征在于:在所述漂移层的背离衬底的面设置有沟槽,所述沟槽具有底壁和侧壁,所述底壁与侧壁的转角处设置圆角;在所述沟槽表面覆盖有随形的介电层,所述介电层材料为Al2O3;在所述介电层表面覆盖有随形的欧姆接触层,在所述漂移层的背离衬底的面上设置有肖特基栅,所述肖特基接触材料采用Pt;
其中,所述衬底材料为Si重掺杂的Ga2O3,所述漂移层材料为Si轻掺杂的Ga2O3,所述沟槽底壁未设置圆角的平面长度为横板长度,所述横板长度K为0.8‑0.9μm;所述圆角半径R=0.6μm;相邻沟槽顶部的漂移层的宽度为台面宽度W,所述台面宽度W为1μm。
2.一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管,包括位于底部的阴极电极,位于所述阴极电极上部的衬底,位于所述衬底上部的漂移层,其特征在于:在所述漂移层的背离衬底的面设置有沟槽,所述沟槽具有底壁和侧壁,所述底壁与侧壁的转角处设置圆角;在所述沟槽表面覆盖有随形的介电层,所述介电层材料为Al2O3;在所述介电层表面覆盖有随形的欧姆接触层,在所述漂移层的背离衬底的面上设置有肖特基栅,所述肖特基接触材料采用Pt;
其中,所述衬底材料为Si重掺杂的Ga2O3,所述漂移层材料为Si轻掺杂的Ga2O3,所述沟槽底壁未设置圆角的平面长度为横板长度,所述横板长度K为0.8‑0.9μm;所述圆角半径R=0.9μm;相邻沟槽顶部的漂移层的宽度为台面宽度W,所述台面宽度W为2μm。
3.如权利要求1或2所述的Ga2O3肖特基势垒二极管,其特征在于:所述欧姆接触层的材质为Ti/Au。