1.一种基于1‑丁基吡啶鎓阳离子的铋碘酸盐有机无机杂化的类钙钛矿半导体材料，其特征在于：该类钙钛矿材料的结构式为(BH)5(Bi2I11)，式中BH为1‑丁基吡啶鎓阳离子，其分子结构如式（I）：

（I）；

上述类钙钛矿半导体材料为正交晶系，Pba21空间群，晶胞参数为a = 14.9775(4) Å，b 3

= 14.977 Å，c = 30.1648(8) Å，α = 90°，β = 90°，γ = 90°，V = 2691.3(3) Å  , Z=4，ρC3

= 2.449 g/cm  , 材料的晶体颜色为红色，晶体熔点为269℃；该材料结构表现为离子型化

5‑

合物，其中双核碘铋酸根(Bi2I11) 为抗衡阴离子，阴离子中的两个BiI6八面体呈共顶点连结形式，而阳离子则是1‑丁基吡啶鎓阳离子；因为阳离子中丁基的构象变化及其多样，因此该晶体结构的结晶学独立单元中包括五个构象有差异的1‑丁基吡啶鎓阳离子；其分子结构如式（II）：

（II）。

2.根据权利要求1所述类钙钛矿半导体材料的制备方法，其方法包括以下步骤：（1）室温下将六氟磷酸‑1‑丁基吡啶鎓盐溶解在乙腈中；

（2）室温下将碘化铋和碘化钾粉末混合溶解在乙腈中；

（3）将所述述两种溶液混合，并搅拌使之充分反应，过滤得到棕红色滤液A；

（4）将滤液A旋蒸至干，洗涤并干燥，最终得到红棕色晶态粉末产物。

3.根据权利要求2所述类钙钛矿半导体材料的制备方法，其特征在于：上述的三种反应物的摩尔比为六氟磷酸‑1‑丁基吡啶鎓盐 : BiI3 : KI为5 : 2 : 5。

4.根据权利要求1所述类钙钛矿半导体材料的应用，其特征在于拥有类似钙钛矿的结构, 光学带隙值（即半导体禁带宽度）为2eV，是中等禁带宽度的无铅型类钙钛矿半导体材料，其具有特征的光电导性能，可作为卤化物钙钛矿基光电器件中的半导体材料。