1.一种微波介质陶瓷表面镀银的PVD工艺，其特征在于，采用真空平面磁控溅射镀膜，包括如下步骤，

S1)陶瓷件预处理清洗，进真空室加热，并对真空室抽真空；

‑1

S2)离子清洗：通入氩气使真空室的真空度达到(5.0‑9.0)*10 Pa，Cr靶和Cu靶电流为

0.1A‑0.5A、或Cr靶和Cu靶电压为100V‑350V，离子源功率为100W‑1000W，工件偏压电压为‑

200V‑‑600V，占空比为30%‑80%；

S3)对陶瓷件进行镀膜，其包括：

S31)关闭氩气、辅助偏压，在陶瓷件上镀膜Cr层，形成打底层；

S32)在打底层上镀膜Ag/Cu/Cr合金层，形成第一过渡层；

S33)在第一过渡层上镀膜Ag/Cu合金层，形成第二过渡层；

S34)在第二过渡层上镀膜Ag层，完成镀银。

2.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷表面镀银的PVD工艺，其特征在于，S1中真空室‑3

加热温度为100‑300℃，加热时间30‑120 min；真空室的本底真空降至(1.0‑6.0)*10 Pa。

3.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷表面镀银的PVD工艺，其特征在于，S2中氩气流量为200‑600sccm，清洗时间为30‑180min。

4.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷表面镀银的PVD工艺，其特征在于，S3中氮气流‑3

量保持400sccm，真空室温度保持200℃，真空度为(1.0‑6.0)*10 Pa。

5.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷表面镀银的PVD工艺，其特征在于，S31中采用单靶电源作为Cr靶的溅射电源，Cr靶靶电流设定为15A‑40A，Cr靶靶电压为300V‑600V，离子源功率设定300W‑1000W，镀膜时间为2‑30min，工件偏压电压为‑50V‑‑350V，占空比为20%‑

80%。

6.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷表面镀银的PVD工艺，其特征在于，S32中采用中频电源作为Cu靶的溅射电源，Cu靶靶电流为10A‑30A，Cu靶靶电压200V‑600V，Cr靶靶电流设定为15A‑40A，Cr靶靶电压为200V‑600V，离子源功率设定500W‑1500W，镀膜时间为10‑

60min，工件偏压电压为‑100V‑0V，占空比20%‑80%。

7.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷表面镀银的PVD工艺，其特征在于，S33中Cu靶靶电流为10A‑30A，Cu靶靶电压200V‑600V，离子源功率设定500W‑1500W，镀膜时间为30‑

120min，工件偏压电压为‑100V‑0V，占空比20%‑80%。

8.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷表面镀银的PVD工艺，其特征在于，S34中离子源功率设定500W‑1500W，镀膜时间为60‑240min，工件偏压电压为‑100V‑0V，占空比20%‑80%。

9.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷表面镀银的PVD工艺，其特征在于，溅射电源频率为20‑180 KHz，功率为 20‑60 KW；离子源作为Ag的靶源。