1.一种强磁性取向高硅钢极薄带，其特征在于，所述强磁性取向高硅钢极薄带包含以下质量百分比的元素：C：0.0045％～0.0060％，Si：4.5％～5.0％，Mn：0.23％～0.32％，S：

0.02％～0.03％，Bi：0.03％～0.08％，Als：0.027％～0.035％，Cu：0.02％～0.03％，N：

0.008％～0.010％，P＜0.005％，其余为铁，其中所述Cu、S、N元素在熔炼时以含硫氮和铜的多核配位化合物的方式加入所述强磁性取向硅钢极薄带。

2.一种权利要求1所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，具体包括以下步骤：S1：按照权利要求1所述强磁性取向高硅钢极薄带中各元素的质量百分比准备原料，将除Bi元素及含硫氮和铜的多核配位化合物的以外的原料混合熔炼，待合金完全熔化后得到合金溶液，向所述合金溶液表面通入高纯氮气，同时加入含硫氮和铜的多核配位化合物，然后再加入Bi元素，制得所述硅铁母合金溶液；

S2：将所述硅铁母合金溶液温度控制在1100～1200℃，在持续流动的高纯氮气氛围中进行高速单辊甩带，控制辊的线速度为20～30m/s，制备出0.20～0.25mm厚的硅钢薄带；

S3：将所述硅钢薄带出辊后水冷至500～600℃，温轧至0.14～0.17mm，加热进行真空退火；再冷轧至0.09～0.12mm，加热进行纯氢气二次退火，再空冷至室温，涂覆退火隔离层后加热进行净化气体退火后，即得所述强磁性取向高硅钢极薄带。

3.根据权利要求2所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，S1中所述混合熔炼的温度为1300～1500℃。

4.根据权利要求2所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，S3中所述真空退火温度时的温度为850～1050℃，真空退火时间为2～5min。

5.根据权利要求4所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，所述真空退火前将完成温轧的所述硅钢极薄带以20～25℃/H的升温速度升温至所述退火温度。

6.根据权利要求2所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，S3中所述纯氢气二次退火的温度为1000～1150℃，纯氢气二次退火时间为2～5min。

7.根据权利要求6所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，所述纯氢气二次退火前将完成冷轧的所述硅钢极薄带以20～25℃/H的升温速度升温至所述退火温度。

8.根据权利要求2所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，S3中所述净化气体退火的温度为950～1200℃，净化气体退火时间为3～5min。

9.根据权利要求8所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，所述净化气体退火前将涂敷退火隔离层的所述硅钢极薄带以35～40℃/H的升温速度升温至所述退火温度。

10.根据权利要求2所述的强磁性取向高硅钢极薄带的制备方法，其特征在于，S3中所述退火隔离层为磷酸二氢铝、苯丙乳液、甘油和硅烷偶联剂的混合物；

所述混合物中各成分的质量百分含量为：磷酸二氢铝：10～15％，苯丙乳液：20～40％，甘油：25～35％，硅烷偶联剂：10～30％。