1.一种MIMO阵列天线，其特征在于，包括多个边靠边排列的背腔式缝隙天线（1）和隔离介质（2），所述隔离介质（2）覆盖在所述多个边靠边排列的背腔式缝隙天线（1）的上方，用于隔离电磁波；所述隔离介质（2）包括依次叠放的，并且具有不同大小、不同厚度和不同介电常数的多个介质块；所述多个介质块分别为第一介质块（21）、第二介质块（22）和第三介质块（23），所述第一介质块（21）、第二介质块（22）和第三介质块（23）的大小依次减小，所述第一介质块（21）、第二介质块（22）和第三介质块（23）的厚度依次增大，所述第一介质块（21）、第二介质块（22）和第三介质块（23）的介电常数依次减小。

2.根据权利要求1所述的一种MIMO阵列天线，其特征在于，所述背腔式缝隙天线（1）具有十字型槽缝（3），所述十字型槽缝（3）使所述背腔式缝隙天线（1）具有双极化特性。

3.根据权利要求1所述的一种MIMO阵列天线，其特征在于，所述第一介质块（21）为底层介质块，所述第二介质块（22）为中间层，所述第三介质块（23）为顶层介质块。

4.一种MIMO阵列天线，其特征在于，包括多个边靠边排列的背腔式缝隙天线（1）和隔离介质（2），所述隔离介质（2）覆盖在所述多个边靠边排列的背腔式缝隙天线（1）的上方，用于隔离电磁波；所述隔离介质（2）为介电常数为4‑5且厚度为四分之一波长的单一介质块，所述单一介质块包括第一通孔区（24）和第二通孔区（25）；所述第一通孔区（24）位于第二通孔区（25）的下方；所述第一通孔区（24）包括多个形状和大小相同的小通孔，且每个小通孔之间的间距相同；所述第二通孔区（25）包括多个形状和大小相同的大通孔，且每个大通孔之间的间距相同；所述第一通孔区（24）的多个小通孔横向设置，所述第二通孔区（25）的多个大通孔横向设置；所述第一通孔区（24）的通孔个数大于所述第二通孔区（25）的通孔个数。

5.一种MIMO阵列天线的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将多个背腔式缝隙天线边靠边排列，组合成为MIMO阵列天线；

步骤2：在所述MIMO阵列天线的上方覆盖隔离介质，得到具有高隔离度的MIMO阵列天线；

所述在所述MIMO阵列天线的上方覆盖隔离介质的方法为：将第一介质块、第二介质块和第三介质块按照底层为第一介质块，中间层为第二介质块，顶层为第三介质块的顺序依次叠放并覆盖在所述MIMO阵列天线的上方；所述第一介质块、第二介质块和第三介质块的大小依次减小，所述第一介质块、第二介质块和第三介质块的厚度依次增大，所述第一介质块、第二介质块和第三介质块的介电常数依次减小。

6.根据权利要求5所述的一种MIMO阵列天线的加工方法，其特征在于，在所述步骤1之前，在背腔式缝隙天线的谐振腔上方的金属壁上蚀刻十字型槽缝，使背腔式缝隙天线具有双极化特性。

7.一种MIMO阵列天线的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将多个背腔式缝隙天线边靠边排列，组合成为MIMO阵列天线；

步骤2：在所述MIMO阵列天线的上方覆盖隔离介质，得到具有高隔离度的MIMO阵列天线；

所述在所述MIMO阵列天线的上方覆盖隔离介质的方法为：选择介电常数为4.4且厚度为四分之一波长的单一介质块作为隔离介质，将所述单一介质块分为第一通孔区和第二通孔区，所述第一通孔区位于第二通孔区的下方；在所述第一通孔区对所述单一介质块进行横向打孔，得到多个形状和大小相同的小通孔，且每个小通孔之间的间距相同；在所述第二通孔区对所述单一介质块进行横向打孔，得到多个形状和大小相同的大通孔，且每个大通孔之间的间距相同；所述第一通孔区的通孔个数大于所述第二通孔区的通孔个数。