1.一种MIMO阵列天线，其特征在于，包括多个边靠边排列的背腔式缝隙天线(1)和隔离介质(2)，所述隔离介质(2)覆盖在所述多个边靠边排列的背腔式缝隙天线(1)的上方，用于隔离电磁波。2.根据权利要求1所述的一种MIMO阵列天线，其特征在于，所述背腔式缝隙天线(1)具有十字型槽缝(3)，所述十字型槽缝(3)使所述背腔式缝隙天线(1)具有双极化特性。3.根据权利要求1或2所述的一种MIMO阵列天线，其特征在于，所述隔离介质(2)包括依次叠放的，并且具有不同大小、不同厚度和不同介电常数的多个介质块；所述多个介质块分别为第一介质块(21)、第二介质块(22)和第三介质块(23)，所述第一介质块(21)、第二介质块(22)和第三介质块(23)的大小依次减小，所述第一介质块(21)、第二介质块(22)和第三介质块(23)的厚度依次增大，所述第一介质块(21)、第二介质块(22)和第三介质块(23)的介电常数依次减小。4.根据权利要求3所述的一种MIMO阵列天线，其特征在于，所述第一介质块(21)为底层介质块，所述第二介质块(22)为中间层，所述第三介质块(23)为顶层介质块。5.根据权利要求1或2述的一种MIMO阵列天线，其特征在于，所述隔离介质(2)为介电常数为4‑5且厚度为四分之一波长的单一介质块，所述单一介质块包括第一通孔区(24)和第二通孔区(25)；所述第一通孔区(24)位于第二通孔区(25)的下方；所述第一通孔区(24)包括多个形状和大小相同的小通孔，且每个小通孔之间的间距相同；所述第二通孔区(25)包括多个形状和大小相同的大通孔，且每个大通孔之间的间距相同；所述第一通孔区(24)的通孔个数大于所述第二通孔区(25)的通孔个数。6.一种MIMO阵列天线的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将多个背腔式缝隙天线边靠边排列，组合成为MIMO阵列天线；步骤2：在所述MIMO阵列天线的上方覆盖隔离介质，得到具有高隔离度的MIMO阵列天线。7.根据权利要求6所述的一种MIMO阵列天线的加工方法，其特征在于，在所述步骤1之前，在背腔式缝隙天线的谐振腔上方的金属壁上蚀刻十字型槽缝，使背腔式缝隙天线具有双极化特性。8.根据权利要求6或7所述的一种MIMO阵列天线的加工方法，其特征在于，在所述MIMO阵列天线的上方覆盖隔离介质的方法为：将多个介质块依次叠放并覆盖在所述MIMO阵列天线上方，所述多个介质块具有不同的大小、不同的厚度和不同的介电常数。9.根据权利要求8所述的一种MIMO阵列天线的加工方法，其特征在于，所述将多个介质块依次叠放并覆盖在所述MIMO阵列天线上方的方法具体为：将第一介质块、第二介质块和第三介质块按照底层为第一介质块，中间层为第二介质块，顶层为第三介质块的顺序依次叠放并覆盖在所述MIMO阵列天线的上方；所述第一介质块、第二介质块和第三介质块的大小依次减小，所述第一介质块、第二介质块和第三介质块的厚度依次增大，所述第一介质块、第二介质块和第三介质块的介电常数依次减小。10.根据权利要求6或7所述的一种MIMO阵列天线的加工方法，其特征在于，在所述MIMO阵列天线的上方覆盖隔离介质的方法为：选择介电常数为4.4且厚度为四分之一波长的单一介质块作为隔离介质，将所述单一介质块分为第一通孔区和第二通孔区，所述第一通孔区位于第二通孔区的下方；在所述第一通孔区对所述厚介质块进行横向打孔，得到多个形

状和大小相同的小通孔，且每个小通孔之间的间距相同；在所述第二通孔区对所述厚介质块进行横向打孔，得到多个形状和大小相同的大通孔，且每个大通孔之间的间距相同；所述第一通孔区的通孔个数大于所述第二通孔区的通孔个数。