1.一种图像传感器，其特征在于，包括像素晶片和逻辑晶片，所述像素晶片的朝向感光方向的一侧设置有用于感光的像素阵列，所述逻辑晶片堆叠设置在所述像素晶片的背离所述感光方向的一侧，所述逻辑晶片用于和所述像素阵列之间传输信号；

所述像素晶片具有第一衬底，所述逻辑晶片具有第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底之间设有阻热组件。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述阻热组件包括匀热件和阻热件，其中，所述匀热件设置在所述阻热组件的靠近所述像素晶片的一侧设置，所述阻热件设在所述匀热件背离所述感光方向的一侧，且与所述匀热件相对设置。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述阻热件设在所述像素阵列背离所述感光方向的一侧，用于阻隔所述逻辑晶片内的热量向所述像素阵列传导；

所述匀热件设在所述像素阵列背离所述感光方向的一侧，用于分散来自所述逻辑晶片的热量。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，所述阻热组件位于所述像素晶片的背离所述第一衬底的一侧设置。

5.根据权利要求2-4中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述匀热件包括至少一个导热层，所述阻热件包括至少一个阻热层。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述导热层为采用导热材料形成的层状结构，所述阻热层为采用隔热材料形成的层状结构。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述导热材料在室温下的热导率大于100W/(m.K)，所述隔热材料在室温下的热导率小于1W/(m.K)，其中，所述室温为300K。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述阻热组件与所述像素阵列相对设置，且所述阻热组件的面积大于等于所述像素阵列的面积。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述像素晶片通过键合工艺堆叠在所述逻辑晶片朝向所述感光方向的一侧。

10.根据权利要9所述的图像传感器，其特征在于，所述键合工艺为熔融键合或者混合键合。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，所述像素晶片通过所述熔融键合集成堆叠在所述逻辑晶片之上时，所述阻热组件位于所述像素晶片和所述逻辑晶片的至少一者的内部。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，所述像素晶片内设有第一金属互连结构，所述逻辑晶片内设有第二金属互连结构，所述阻热组件位于所述第一金属互连结构与所述第二金属互连结构之间。

13.根据权利要求12所述的图像传感器，其特征在于，所述像素晶片还通过第一导电互连结构与所述逻辑晶片电连接。

14.根据权利要求13所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电互连结构包括互连结构和导电件，所述互连结构分别与所述像素晶片和所述逻辑晶片内的电连接单元连接，所述导电件连接在两个所述互连结构之间，且至少部分所述导电件位于所述第一衬底的表面。

15.根据权利要求13所述的图像传感器，其特征在于，所述互连结构为填充有导电材料并与所述第一金属互连结构或者所述第二金属互连结构连通的第一通孔；

所述导电件为金属件。

16.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，所述像素晶片通过所述混合键合集成堆叠在所述逻辑晶片之上时，所述阻热组件位于所述像素晶片内，或者

所述阻热组件位于所述逻辑晶片内。

17.根据权利要求16所述的图像传感器，其特征在于，所述像素晶片内设有第一金属互连结构，所述逻辑晶片内设有第二金属互连结构，所述阻热组件位于所述第一金属互连结构内，或者所述阻热组件位于所述第二金属互连结构内。

18.根据权利要求17所述的图像传感器，其特征在于，所述第一金属互连结构内与所述阻热组件相邻的两个金属互连层通过第二导电互连结构电连接，或者所述第二金属互连结构内与所述阻热组件相邻的两个金属互连层通过所述第二导电互连结构电连接。

19.根据权利要求18所述的图像传感器，其特征在于，所述第二导电互连结构位于所述阻热组件的周向外侧。

20.根据权利要求18或者19所述的图像传感器，其特征在于，所述第二导电互连结构为填充有导电材料的第二通孔，其中，所述第二通孔连接在两个所述金属互连层之间。

21.根据权利要求16-20中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述像素晶片通过导电层与所述逻辑晶片电连接，其中，所述导电层位于所述像素晶片和所述逻辑晶片的键合界面上。

22.根据权利要求2-19中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述匀热件堆叠在所述阻热件朝向所述感光方向的一侧，或者所述匀热件与所述阻热件间隔设置。

23.根据权利要求1-22中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述匀热件为悬浮结构，或者所述匀热件通过层间互连结构与所述像素晶片上的焊盘电连接。

24.根据权利要求23所述的图像传感器，其特征在于，所述层间互连结构为填充有导电材料且连接在所述焊盘、所述第一金属互连结构和所述匀热件之间的通孔。

25.根据权利要求1-24中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述匀热件上设有呈阵列排列的开孔结构，以释放应力。

26.根据权利要求1-25中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述像素阵列形成在所述第一衬底上且靠近所述第一衬底的表面设置。

27.根据权利要求1-26中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器为互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器。

28.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至27中任一项所述的图像传感器。