1.一种金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1,制备种子溶液；

3+

步骤S2,制备生长溶液并进行生长；油酸钠中的C‑C双键将生长溶液中的Au 还原为Au+ +

，加入盐酸调控抗坏血酸酸根水解的速率，控制反应速率；Ag 目的为调节金纳米棒的转化率与形貌，与CTAB共同作用使金纳米晶体沿着两端生长成棒状；

步骤S3，将生长溶液离心清洗，加入NaOH，并按30分钟的时间间隔分6次加入TEOS溶液并搅拌；将步骤S2中合成的金纳米棒产物表面包裹介孔二氧化硅；将溶液离心清洗，以1：1的比例加入水与乙醇分散，并加入氨水催化，再以30分钟的时间间隔分6此加入TEOS溶液并搅拌，得到最终产物；

其中，所述步骤S1包括以下步骤：

S10:将10mL 0.1M CTAB与0.25mL 10mM HAuCl4混合于瓶中，用冰水混合物与称量好的一定质量NaBH4混合，配成0.01M溶液，并加入0.6mL于瓶中剧烈搅拌；溶液由金黄色变为棕黄色，此为种子溶液；

其中，所述步骤S2进一步包括以下步骤：S20:将9.25mL 0.1M CTAB与0.062g NaOL在50℃下溶解于14.5mL水中；溶解后将溶液降温至30℃，之后加入0.9mL 4mM AgNO3溶液；并于30℃恒温静置15分钟，之后加入0.25mL 

10mM HAuCl4；经过60‑90分钟,400rpm的搅拌，溶液由金黄色变为无色；此为生长溶液；

S21:向生长溶液中加入0.105mL 37wt.％HCl调控pH值；之后依次加入64mM 75μL AA，

40μL种子溶液并剧烈搅拌；最终溶液静置12小时于30℃水浴中；

所述步骤S3进一步包括以下步骤：

S30：将生长之后的溶液经过30分钟，6000rpm离心，分散于对应体积的1‑2mM CTAB中；

加入0.1M 0.8mL的NaOH溶液，之后加入TEOS 0.03mL，搅拌三十分钟；重复六次；第六次之后将最终溶液持续搅拌2天；

S31：将生长之后的溶液经过30分钟，6000rpm离心，去除上层清液后，以1：1的比例加入水和乙醇分散；加入3wt.％1mL的氨水溶液，之后加入TEOS 10μL，搅拌三十分钟；重复六次；

第六次之后将最终溶液持续搅拌1天。

2.根据权利要求1所述的金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法，其特征在于，首先制备好金纳米棒样品原料，之后重新分散金纳米棒并且加入NaOH作为催化剂，最后在溶液中分6次加入TEOS，生长介孔二氧化硅；在加入氨水作为催化剂，在溶液中分6次加入TEOS,得到最终产物；整个反应的过程为：用强还原剂硼氢化钠首先制备1‑2nm的小颗

3+ +

粒金纳米颗粒作为种子；在生长溶液中，氯金酸的Au 被油酸钠还原成Au再被抗坏血酸还+

原成Au,经由CTAB与Ag的共同作用定向在种子颗粒的两端生长，生长成金纳米棒；将生长好的产物离心，清洗后加入NaOH作为催化剂，并分六次每次三十分钟加入一定量的TEOS溶液搅拌，并在最后一步持续搅拌两天；最终在金纳米棒表面生长出介孔二氧化硅；反应后离心清洗，并以1：1的比例加入水和乙醇分散，再加入一定量的氨水作为催化剂，分六次每次三十分钟加入一定量的TEOS溶液搅拌，在最后一步持续搅拌1天；通过改变最后一步TEOS的添加量可以调控二氧化硅层的厚度。

3.根据权利要求2所述的金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法，其特征在于，可包覆的金纳米棒尺寸位长度50‑100nm，包裹后的二氧化硅层厚度可调范围约为

15‑100nm。