1.一种参数化单元的实现方法，其特征在于，包括：

提供参数化单元，所述参数化单元包括至少一个器件，所述器件包括多个膜层结构，所述膜层结构包括栅极层、鳍式结构层，所述栅极层包括虚拟栅极，所述虚拟栅极与所述鳍式结构层不相连；其中，所述器件的栅极、源极和漏极分别覆盖部分鳍式结构，所述栅极与所述鳍式结构之间具有栅电介层，所述源极与所述鳍式结构上的源极区电连接，所述漏极与所述鳍式结构上的漏极区电连接，其中，所述源极区和所述漏极区通过对鳍式结构进行掺杂形成；

根据预设的器件结构确定任一膜层结构待剪切的区域，所述预设的器件结构满足所述参数化单元的最小设计规则；

根据所述待剪切的区域调整剪切层的图层设定，以使所述剪切层对所述待剪切的区域进行剪切。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调整剪切层的图层设定包括：调整剪切层的图层设定，使所述剪切层向至少一个方向延伸或缩减，以使所述剪切层对所述待剪切的区域进行剪切。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜层结构待剪切的区域包括第一区域和第二区域，根据所述待剪切的区域调整剪切层的图层设定包括：调整与所述第一区域对应的第一剪切层的图层设定，使所述第一剪切层向第一方向延伸第一预设距离；

调整与所述第二区域对应的第二剪切层的图层设定，使所述第二剪切层向第二方向延伸第二预设距离，所述第一方向和所述第二方向相反。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件包括鳍式场效应晶体管；所述膜层结构包括导电金属层。

5.一种参数化单元，其特征在于，采用权利要求1～4任一项所述的方法实现。