1.一种钍配位聚合物，其特征在于：化学式为[Th6O4(OH)4(C14H4F4O4)6(H2O)6]，属于立方晶系，空间群为Fm‑3m；单胞参数为a＝28～28.1埃，b＝28～28.1埃，c＝28～28.1埃，α＝

90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝4。

2.根据权利要求1所述的钍配位聚合物的制备方法，包括以下步骤：将钍盐、3,3',5,

5'‑四氟联苯‑4,4'‑二甲酸、硝酸和溶剂混合，再转移到反应釜中，然后在358～373K下反应，得到所述的钍配位聚合物。

3.根据权利要求2所述的钍配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述钍盐、3,3',5,

5'‑四氟联苯‑4,4'‑二甲酸、硝酸的用量比为1：1：85。

4.根据权利要求2所述的钍配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述溶剂为有机溶剂和水的混合溶剂。

5.根据权利要求4所述的钍配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述溶剂为DMF和去离子水的混合溶剂。

6.根据权利要求2所述的钍配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述钍盐为硝酸钍。

7.根据权利要求2所述的钍配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述硝酸的质量分数为68％。

8.根据权利要求2所述的钍配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述反应时间为6小时。

9.根据权利要求1所述的钍配位聚合物的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述的钍配位聚合物用于存储丙炔气体。