1.一种用于CIGS太阳能电池缓冲层的In掺杂CdS薄膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：

（1）利用铜粉、铟粉、镓粉和硒粉制备CIGS前驱体薄膜，将CIGS前驱体薄膜硒化处理，制得CIGS吸收层薄膜；

（2）向硝酸镉溶液中加入氨水和硫脲溶液，混合后加入步骤（1）制备得到的CIGS吸收层薄膜，65‑85℃水浴加热；

（3）将In(NO3)3溶液加入恒压漏斗中，稀释后逐滴滴加到步骤（2）的水热溶液中，控制滴加速度为4 s每滴；

（4）滴加完毕后，待薄膜表面呈蓝紫色后取出，得到In掺杂CdS薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中将铜粉、铟粉、镓粉和硒粉按照质量比为1:0.8:0.4:2溶于溶剂中，于70℃搅拌形成均匀稳定的褐色溶液，将褐色溶液旋涂到钼玻璃上，在350 ℃加热1 min，重复旋涂和加热的步骤，制得1‑2μm的CIGS前驱体薄膜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中CIGS前驱体薄膜置于装有硒粉的石墨盒中，在通入氩气的快速升温炉中550 ℃下硒化处理15 min，制得CIGS吸收层薄膜。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中硫脲溶液的浓度是1.0

1.5mol/L，硝酸镉溶液的浓度是0.01 0.015mol/L，硝酸镉溶液、氨水和硫脲溶液的体积比~ ~

为20:36:12.8。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中In(NO3)3溶液的浓度为‑4 

1.5×10 mol/L，控制溶液中In和Cd的物质的量比在1:（100 400）之间。

~

6.权利要求1‑5任一项所述的制备方法制备的In掺杂CdS薄膜，其特征在于：所述In掺杂CdS薄膜的厚度为50 70nm。

~

7.利用权利要求6所述的In掺杂CdS薄膜制备的CIGS电池，其特征在于：包括钠钙玻璃衬底、Mo背电极、CIGS吸收层、In掺杂CdS缓冲层、本征ZnO和Al掺杂ZnO薄膜窗口层以及Ni‑Al顶电极。

8.根据权利要求7所述的In掺杂CdS薄膜制备的CIGS电池，其特征在于：所述Mo背电极由直流磁控溅射制备，厚度为800 1000nm；本征ZnO和Al掺杂ZnO薄膜窗口层均由磁控溅射~

法制备，厚度分别为50 nm和250 nm；Ni‑Al顶电极由热蒸发法制备，厚度为1μm。