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专利号: 202011429202X
申请人: 广东工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 发电、变电或配电
更新日期:2025-12-19
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种升压型七电平逆变器,其特征在于,包括直流输入模块、第一拓扑模块和第二拓扑模块;所述直流输入模块与第一拓扑模块电连接,所述第一拓扑模块与第二拓扑模块电连接;

所述直流输入模块包括直流电源、电容C1和电容C2;所述直流电源的正极与电容C1的一端电连接,所述直流电源的负极与电容C2的一端电连接,所述电容C1的另一端和电容C2的另一端连接并作为所述七电平逆变器的中性点;

所述第一拓扑模块包括二极管D1、二极管D2、开关管S1、开关管S2、开关管S3和开关管S4;

所述开关管S1的一端与直流电源的正极电连接,所述开关管S1的另一端分别与二极管D1的负极、开关管S2的一端电连接,所述开关管S2的另一端与开关管S3的一端电连接,所述开关管S3的另一端分别与二极管D2的正极、开关管S4的一端电连接,所述开关管S4的另一端与直流电源的负极电连接,所述二极管D1的正极、二极管D2的负极均接中性点;

所述第二拓扑模块包括二极管D3、二极管D4、电容C3、电容C4、开关管S5、开关管S6和开关管S7;所述二极管D3的正极与第一拓扑模块的一端电连接,所述二极管D3的负极分别与电容C3的一端、开关管S5的一端电连接,所述二极管D4的负极与第一拓扑模块的另一端电连接,所述二极管D4的正极分别与电容C4的一端、开关管S6的一端电连接,所述电容C3的另一端、电容C4的另一端和开关管S7的一端均与开关管S2的另一端电连接;开关管S5的另一端、开关管S6的另一端和开关管S7的另一端均作为交流输出端。

2.根据权利要求1所述的一种升压型七电平逆变器,其特征在于,所述二极管D3的正极与开关管S1的另一端电连接,所述二极管D4的负极与开关管S4的一端电连接。

3.根据权利要求1所述的一种升压型七电平逆变器,其特征在于,所述二极管D3的正极与开关管S1的一端电连接,所述二极管D4的负极与开关管S4的另一端电连接。

4.根据权利要求1所述的一种升压型七电平逆变器,其特征在于,所述开关管S7为双向开关管。

5.根据权利要求4所述的一种升压型七电平逆变器,其特征在于,所述开关管S7由两个IGBT反向串联组成,所述IGBT反向并联有一个二极管。

6.根据权利要求4所述的一种升压型七电平逆变器,其特征在于,所述开关管S7由两个MOSFET反向串联组成,所述MOSFET反向并联有一个二极管。

7.根据权利要求1所述的一种升压型七电平逆变器,其特征在于,所述开关管S1、开关管S2、开关管S3、开关管S4、开关管S5和开关管S6均为IGBT,所述IGBT反向并联有一个二极管。

8.根据权利要求1所述的一种升压型七电平逆变器,其特征在于,所述开关管S1、开关管S2、开关管S3、开关管S4、开关管S5和开关管S6均为MOSFET,所述MOSFET反向并联有一个二极管。

9.根据权利要求1所述的一种升压型七电平逆变器,其特征在于,所述电容C1和电容C2的型号相同,所述电容C3和电容C4的型号相同。