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专利号: 2020113885117
申请人: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2025-03-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种衬底浓度确定方法,其特征在于,所述方法包括:

获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值,其中每个所述待测芯片组包括具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片;

针对每个所述待测芯片组,根据所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值,计算该待测芯片组的电容量测差异度;

根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度,确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系;

根据所述特性对应关系确定所述待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述待测芯片组内每个待测芯片的电容量测值,计算该待测芯片组的电容量测差异度的步骤,包括:对所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行均值运算,得到所述待测芯片组的电容量测均值;

根据所述电容量测均值对所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行标准差运算,得到所述电容量测差异度。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:获取处于所述最佳衬底掺杂浓度的所述待测芯片在电容不同的多个测试键处分别量测到的静电累积电量;

根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量,计算所述待测芯片在所述最佳衬底掺杂浓度下对应的静电累积值。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量,计算所述待测芯片在所述最佳衬底掺杂浓度下对应的静电累积值的步骤,包括:根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量,确定静电累积电量与测试键电容之间的静电关联关系;

根据所述静电关联关系计算具有所述最佳衬底掺杂浓度的所述待测芯片在测试键电容为零时的静电累积值。

5.一种衬底浓度确定装置,其特征在于,所述装置包括:

电容量测获取模块,用于获取不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自在电容相同的测试键处量测到的电容量测值,其中每个所述待测芯片组包括具有相同衬底掺杂浓度的多个待测芯片;

量测差异计算模块,用于针对每个所述待测芯片组,根据所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值,计算该待测芯片组的电容量测差异度;

特性关系确认模块,用于根据不同衬底掺杂浓度的待测芯片组各自的电容量测差异度,确定待测芯片的衬底掺杂浓度与电容量测差异度之间的特性对应关系;

最佳掺杂输出模块,用于根据所述特性对应关系确定所述待测芯片的与最小电容量测差异度对应的最佳衬底掺杂浓度。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述量测差异计算模块包括:电容均值运算子模块,用于对所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行均值运算,得到所述待测芯片组的电容量测均值;

标准差运算子模块,用于根据所述电容量测均值对所述待测芯片组内各待测芯片的电容量测值进行标准差运算,得到所述电容量测差异度。

7.根据权利要求5或6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:静电量测获取模块,用于获取处于所述最佳衬底掺杂浓度的所述待测芯片在电容不同的多个测试键处分别量测到的静电累积电量;

静电效应运算模块,用于根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量,计算所述待测芯片在所述最佳衬底掺杂浓度下对应的静电累积值。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述静电效应运算模块包括:静电关联确认子模块,用于根据在多个所述测试键处分别量测出的静电累积电量,确定静电累积电量与测试键电容之间的静电关联关系;

静电累积计算子模块,用于根据所述静电关联关系计算具有所述最佳衬底掺杂浓度的所述待测芯片在测试键电容为零时的静电累积值。

9.一种计算机设备,其特征在于,所述计算机设备包括处理器和存储器,所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机程序,所述处理器可执行所述计算机程序,以实现权利要求1‑4中任意一项所述的衬底浓度确定方法。

10.一种可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时,实现权利要求1‑4中任意一项所述的衬底浓度确定方法。