1.一种带NTC热敏芯片的温度传感器，包括导热基片、NTC热敏芯片、引线、玻璃绝缘封装层，其特征在于：还包括过渡金属基台、封装引渡机构，所述过渡金属基台与导热基片均含铜、铝、锡、锰元素，且（铜+铝+锡）元素质量百分含量占比重合率大于50%，锰元素质量百分含量占比大于5%，NTC热敏芯片通过过渡金属基台、玻璃绝缘浆料与导热基片相连；封装引渡机构采用复合金属材料、呈波纹管状，并通过玻璃绝缘浆料烧渗连接于导热基片上。

2.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述导热基片成型原料选用质量比1:0.1‑0.3的铝锡铜合金锭和铝锰合金锭，铝锡铜合金锭化学成分符合GB/T 20975标准，铝锰合金锭化学成分符合GB/T 3190‑2008标准。

3.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述过渡金属基台采用黄铜、青铜、钛铝合金和锌锰合金熔融铸造而成，其中（铜+铝+锡）元素质量百分含量占比大于70%。

4.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述封装引渡机构包括以下质量百分含量元素组分，Mg 4.5‑6.3%、Si 2.6‑3.8%、Cu 1.2‑3.3%、Mn 

0.8‑1.2%、Ni 0.3‑0.45%、RE 0.2‑0.4%、Fe≤0.06%、余量为Al和不可避免的杂质。

5.根据权利要求4所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述RE选用La、Ce、Y组合物，且La与（Ce+Y）的质量百分含量占比为60‑75%、25‑40%。

6.根据权利要求1所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述封装引渡机构内、外壁喷镀有导电浆料层，镀层厚度为0.1‑0.5mm。

7.根据权利要求6所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述导电浆料采用银电子浆料、铜电子浆料的任意一种或组合物，选用组合物，两者按体积比1:1混合施用。

8.根据权利要求1‑7任一项所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于，制备工艺如下：

取料熔炼铝锡铜合金锭和铝锰合金锭，制备导热基片坯料,切片加工后得导热基片；

将导热基片、过渡金属基台、NTC热敏芯片依次叠放，并利用玻璃绝缘浆料实现层间印刷烧结；

在NTC热敏芯片电极上引线，于引线外侧套接封装引渡机构，引线、封装引渡机构也由玻璃绝缘浆料上刷烧结；

采用点胶机将玻璃绝缘浆料点在NTC热敏芯片上，完全覆盖热敏电阻芯片，和引线、封装引渡机构的根部，并烧结处理，形成玻璃绝缘封装层。

9.根据权利要求8所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述过渡金属基台为金属网结构，金属网丝外径为0.02±0.002mm，导热基片、过渡金属基台、NTC热敏芯片厚度比为0.5:0.5:5。

10.根据权利要求8所述的一种带NTC热敏芯片的温度传感器，其特征在于：所述引线、封装引渡机构根部覆盖厚度大于0.05mm。