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专利号: 2020113312952
申请人: 湖南科技学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 有机化学〔2〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,将具有式1结构的芳香卤代烃、具有式2结构的化合物在碱下进行反应,制得式3结构的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物产物;Ar‑X式1

所述的Ar为芳基;所述的X为卤素;所述的芳基为苯基、五元杂环芳基、六元杂环芳基,或者由苯基、五元杂环芳基、六元杂环芳基中的任意两个及以上的芳香环稠合形成的稠环芳基;所述的苯基、五元杂环芳基、六元杂环芳基、稠环芳基的芳香环上允许带有取代基;所述的取代基为‑NH2、‑CH2OH、烷基、C1~C10的烷氧基、卤素中的至少一种;R1~R4独自为‑H或甲基;所述的碱为碱金属氢氧化物、醇化合物中的至少一种;反应过程的溶剂为醇水混合液或DMF;所述的醇水混合液中,醇和水的体积比为0.5~2.5:1;反应过程的温度大于或等于80℃。2.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,所述的芳香卤代烃为具有式1‑A、式1‑B、式1‑C、式1‑D结构式的化合物中的至少一种:式1‑A、式1‑B、式1‑C、式1‑D中,所述的R5和X位于各自芳香环的任意位置;且所述的R5为‑H、‑NH2、‑CH2OH、烷基、C1~C10的烷氧基或卤素;所述的X为‑Cl、‑Br或‑I;所述的Y为O、S、NH或者‑NR;所述的R为烷基。3.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,式2结构的化合物大于或等于理论摩尔量。4.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,式2结构的化合物为理论反应量的1~2倍。5.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,式2结构的化合物为理论反应量的1.2~1.6倍。6.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,所述的碱为氢氧化钠、氢氧化钾、叔丁醇钾、叔丁醇钠中的至少一种。7.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,所述的碱的用量为式2化合物摩尔量的2~5倍。8.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,所述的碱的用量为式2化合物摩尔量的2.5~3倍。9.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,反应溶剂为醇水混合液,其中的醇为能与水任意比混溶的醇。10.如权利要求9所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,反应溶剂为醇水混合液,其中的醇为C1~C4的一元醇或者多元醇。11.如权利要求10所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,反应溶剂为醇水混合液,其中的醇为甲醇、乙醇、丙醇中的至少一种。12.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,所述的醇水混合液中,所述的醇和水的体积比为1~1.5:1。

13.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,反应过程的温度为80~150℃。14.如权利要求1所述的2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,反应时间大于或等于芳香卤代烃原料转化率大于90%的时间。15.一种2‑芳硫基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,采用权利要求1~14任一项所述的制备方法制得2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物产物,随后将其进行还原反应,制得式4结构的2‑芳硫基吡啶化合物;

其中,Ar选取范围同式1,R1~R4选取范围同式2。16.如权利要求15所述的2‑芳硫基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,所述的还原反应过程中采用的还原剂为Pd/C、PCl3中的至少一种。17.如权利要求16所述的2‑芳硫基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,所述的还原反应中,当还原剂为Pd/C时,还原剂的用量为2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物摩尔量的1‑20%;当还原剂为PCl3时,还原剂的用量不低于将2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物中的吡啶氧完全反应的理论摩尔量。18.如权利要求17所述的2‑芳硫基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,当还原剂为PCl3时,还原剂为理论摩尔量的5‑10倍。19.如权利要求17所述的2‑芳硫基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,当还原剂为Pd/C时,还原反应过程的溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇中的至少一种;当还原剂为PCl3时,还原反应过程的溶剂为氯仿、二氯甲烷中的至少一种。20.一种2‑芳硫砜基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,采用权利要求15~19任一项所述的方法制得2‑芳硫基吡啶化合物,随后进行氧化反应,制得式5结构的2‑芳硫砜基吡啶化合物;

其中,R1~R4、Ar选取范围同式4。21.如权利要求20所述的2‑芳硫砜基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,所述的氧化反应过程中采用的氧化剂为间氯过氧苯甲酸。22.如权利要求20所述的2‑芳硫砜基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,所述的氧化反应中,氧化剂的用量不低于将2‑芳硫基吡啶化合物中的硫完全反应的理论摩尔量。23.如权利要求22所述的2‑芳硫砜基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,氧化剂的用量为理论摩尔量的2‑3倍。

24.如权利要求20所述的2‑芳硫砜基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,氧化反应过程的溶剂为二氯甲烷,氯仿中的至少一种。25.如权利要求20所述的2‑芳硫砜基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,氧化反应过程的温度为20‑40℃。26.一种2‑芳硫砜基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,采用权利要求1~14任一项所述的制备方法制得2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物产物,随后将其进行氧化反应,制得式6结构的2‑芳硫砜基吡啶‑N‑氧化物;

其中,Ar选取范围同式1,R1~R4选取范围同式2。27.如权利要求26所述的2‑芳硫砜基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,所述的氧化反应过程中采用的氧化剂为间氯过氧苯甲酸。28.如权利要求26所述的2‑芳硫砜基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,所述的氧化反应中,氧化剂的用量不低于将2‑芳硫基吡啶‑N‑氧化物中的硫完全反应的理论摩尔量。29.如权利要求28所述的2‑芳硫砜基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,所述的氧化反应中,氧化剂的用量为理论摩尔量的2‑3倍。30.如权利要求26所述的2‑芳硫砜基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,氧化反应过程的溶剂为二氯甲烷、氯仿中的至少一种。31.如权利要求26所述的2‑芳硫砜基吡啶‑N‑氧化物的制备方法,其特征在于,氧化反应过程的温度为20‑40℃。