1.一种TFET器件研究用模拟系统，包括底板（1），其特征在于，所述底板（1）的贯穿有第一通孔（2），所述第一通孔（2）的底部安装有推动机构（3），所述第一通孔（2）的顶部开口处安装有与底板（1）顶部固接的矩形结构的承载机构（4），所述承载机构（4）外侧安装有与底板（1）顶部固接的罩壳（5），所述承载机构（4）相邻的两侧外侧壁均安装有与罩壳（5）固接的衬底上料机构（7），所述衬底上料机构（7）的正下方安装有位于底板（1）顶部的衬底输送机构（8），所述承载机构（4）的顶部安装有与罩壳（5）顶部内侧壁固结的顶端上料机构（6），所述顶端上料机构（6）的底部一侧安装有与罩壳（5）固结的侧边输送机构（9）；

所述承载机构（4）包括与底板（1）顶部固接的矩形结构的承载板（41），所述承载板（41）贯穿有沿竖直方向设置的放置槽（42），且放置槽（42）与第一通孔（2）连通，所述承载板（41）与相邻的一个衬底上料机构（7）相邻的一侧开设有与放置槽（42）连通的第一伸入通道（43），所述第一伸入通道（43）的两侧内侧壁均开设有沿竖直方向等距设置的第一限制槽（44），且第一限制槽（44）延伸并凹陷在放置槽（42）相邻的内侧壁上，所述承载板（41）与相邻的另一个衬底上料机构（7）相邻的一侧开设有与放置槽（42）连通的第二伸入通道（45），所述第二伸入通道（45）的两侧内侧壁均开设有沿竖直方向等距设置的第二限制槽（46），且第二限制槽（46）延伸并凹陷在放置槽（42）相邻的内侧壁上，第二限制槽（46）与第一限制槽（44）交错设置，利用衬底上料机构（7）将TFET器件的衬底沿第一伸入通道（43）和第二伸入通道（45）输送至第一限制槽（44）和第二限制槽（46），利用顶端上料机构（6）将TFET器件的外延层、栅介质层、栅极层、源区和漏区放置在承载板（41）顶部。

2.根据权利要求1所述的一种TFET器件研究用模拟系统，其特征在于，所述顶端上料机构（6）包括与罩壳（5）顶部内侧壁固结的第一推动机构，第一推动机构的底部固接有安装板（61），安装板（61）的两侧均开设有卡槽（62），卡槽（62）的内部滑动连接有第一推板（63），第一推板（63）相互靠近的一侧均安装有与安装板（61）顶部固接的第二推动机构（65），第一推板（63）的底部固接有第一吸附板（64），两组第一吸附板（64）相互靠近的一侧安装有与安装板（61）底部固接的第二吸附板（66），两组第一推板（63）相互远离的一侧固接有沿竖直方向设置的第三推动机构，第三推动机构的底部固接有横板（67），两组横板（67）相互远离的一侧底部均固接有检测探针（68）。

3.根据权利要求1所述的一种TFET器件研究用模拟系统，其特征在于，所述衬底上料机构（7）包括与罩壳（5）内侧壁固结且沿竖直方向设置的第四推动机构（71），第四推动机构（71）靠近承载机构（4）的一侧输出端固接有沿水平方向设置的第五推动机构（72），第五推动机构（72）靠近承载机构（4）的输出端固接有支杆（73），支杆（73）靠近承载机构（4）的一侧固接有沿其长度方向分布的吸附杆（74）。

4.根据权利要求1所述的一种TFET器件研究用模拟系统，其特征在于，所述衬底输送机构（8）包括开设在底板（1）且沿相邻衬底上料机构（7）长度方向设置的内凹槽，内凹槽的底部内侧壁安装有沿其长度方向设置的第六推动机构，第六推动机构的顶部输出端安装有第一放料板。

5.根据权利要求1所述的一种TFET器件研究用模拟系统，其特征在于，所述侧边输送机构（9）包括开设在罩壳（5）上的进料口，进料口的一侧固接有第七推动机构，第七推动机构的一侧固接有第二放料板。

6.根据权利要求1所述的一种TFET器件研究用模拟系统，其特征在于，所述推动机构（3）包括与第一通孔（2）滑动套接的顶板，顶板的底部安装有第八推动机构，第八推动机构的底部安装有与底板（1）固接的支架。

7.根据权利要求3所述的一种TFET器件研究用模拟系统，其特征在于，所述吸附杆（74）采用中空结构，吸附杆（74）的顶部开设有与其内部连通的第一吸附孔，吸附杆（74）的一侧固接有与其内部连通的第一抽气管。

8.根据权利要求2所述的一种TFET器件研究用模拟系统，其特征在于，所述第一吸附板（64）和第二吸附板（66）均采用中空结构，第一吸附板（64）和第二吸附板（66）的底部均开设有与其内部连通的第二吸附孔，第一吸附板（64）和第二吸附板（66）的一侧均固接有与其内部连通的第二抽气管。