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专利号: 2020110578742
申请人: 桂林电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 光学
更新日期:2025-12-19
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于阵列等离子体柱的可调谐光开关,其特征在于:包括厚度小于工作波长的超表面,超表面为规则的几何形状,超表面内平行等间距分布有至少3个等离子体柱;超表面的材质为包层石英管和等离子体柱;

法诺共振由单个等离子体柱的米氏散射和阵列等离子柱的布拉格散射发生相干涉来确定。

2.根据权利要求1所述的基于阵列等离子体柱的可调谐光开关,其特征在于:超表面为矩型,所有等离子体柱的几何参数完全相同。

3.根据权利要求2所述的基于阵列等离子体柱的可调谐光开关,其特征在于:超表面的几何参数中,石英管半径r1=1.0mm,等离子体半径r2=1.0mm,超胞周期10.0mm

4.根据权利要求3所述的基于阵列等离子体柱的可调谐光开关,其特征在于:相邻等离子体柱之间的间距d=3.9mm;

根据权利要求3所述的基于阵列等离子体柱的可调谐光开关,其特征在于:超胞周期p=18.0mm。

5.根据权利要求2所述的基于阵列等离子体柱的可调谐光开关,其特征在于:所述等离子密度为ne,其范围为1.0×1012cm-3