1.一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路，其特征在于：包括一阶带隙基准电路和二阶曲率温度补偿电路，二阶曲率温度补偿电路输入一阶带隙基准电路的基准输出电压va，相应地产生一个呈正温度系数特性的电压vR2，基准输出电压va与电压vR2叠加后作为该二阶曲率温度补偿带隙基准电路的基准输出电压vref；

所述一阶带隙基准电路包括电阻R0、电阻R1、PNP三极管Q2、PNP三极管Q3、NPN三极管Q0和NPN三极管Q1，PNP三极管Q2和Q3构成电流镜，PNP三极管Q2和Q3的发射极作为该一阶带隙基准电路的输入端，PNP三极管Q2和Q3的集电极分别接NPN三极管Q0和Q1的集电极，NPN三极管Q0的发射极依次串联电阻R0和R1接地，NPN三极管Q1的发射极接电阻R0和R1之间的节点，NPN三极管Q0和Q1的基极相连接作为该一阶带隙基准电路的基准电压输出端，用于输出基准输出电压va；

所述二阶曲率温度补偿电路包括NPN三极管Q7、NPN三极管Q5、电阻R2、电阻R3、电阻R8和电阻R9，电阻R2的第一端接NPN三极管Q0和Q1的基极，第二端接NPN三极管Q7的基极，NPN三极管Q7的集电极接电源，NPN三极管Q7的发射极依次串联电阻R8和电阻R9接地，电阻R8和电阻R9之间的节点接NPN三极管Q5的基极，NPN三极管Q5的发射极串联电阻R3接地，NPN三极管Q5的集电极接电阻R2的第一端，电阻R2的第二端作为该二阶曲率温度补偿带隙基准电路的基准电压输出端，用于输出基准输出电压vref；

还包括PMOS管P5、P6、P7和P8，PMOS管P5、P6、P7和P8构成电流镜，用于将NPN三极管Q7的集电极电流提供给PNP三极管Q2和Q3的发射极，构成自偏置结构；

还包括电阻分压电路，电阻分压电路具有多个不同分压比的分压输出端，电阻分压电路的输入端接该二阶曲率温度补偿带隙基准电路的基准电压输出端。

2.根据权利要求1所述的二阶曲率温度补偿带隙基准电路，其特征在于：还包括第一负反馈回路，用于稳定NPN三极管Q0和Q1的电流。

3.根据权利要求2所述的二阶曲率温度补偿带隙基准电路，其特征在于：所述第一负反馈回路包括PNP三极管Q4，PNP三极管Q4的基极接NPN三极管Q1的集电极，PNP三极管Q4的发射极接PNP三极管Q3的发射极，PNP三极管Q4的集电极接地。

4.根据权利要求3所述的二阶曲率温度补偿带隙基准电路，其特征在于：还包括电容C0，电容C0接在PNP三极管Q4的基极与地之间。

5.根据权利要求1所述的二阶曲率温度补偿带隙基准电路，其特征在于：还包括第二负反馈回路，第二负反馈回路包括NPN三极管Q6，NPN三极管Q6的基极接PNP三极管Q3的发射极，NPN三极管Q6的集电极接电源，NPN三极管Q6的发射极接该二阶曲率温度补偿带隙基准电路的基准电压输出端。

6.根据权利要求1所述的二阶曲率温度补偿带隙基准电路，其特征在于：还包括启动电路，用于给一阶带隙基准电路提供启动电流。