1.一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法，其特征在于，该方法是通过晶体高饱和度连续快速生长系统实现的，所述的晶体高饱和度连续快速生长系统包括检测装置、执行装置、控制装置和晶体生长装置；检测装置包括培养罐热电阻、过热过滤箱热电阻、过热过滤箱三点式液位传感器、溶液配制罐热电阻、高饱和度平衡箱热电阻、高饱和度平衡箱三点式液位传感器；执行装置包括载晶架交流电机、培养罐电加热器、培养罐水循环泵、培养罐电磁阀、过热过滤箱电加热器、过热过滤箱水循环泵、过热过滤箱电磁阀、溶液配制罐电加热器、溶液配制罐水循环泵、溶液配制罐电磁阀、高饱和度平衡箱电加热器、高饱和度平衡箱水循环泵、高饱和度平衡箱电磁阀和生长溶液输送泵；控制装置包括PLC主机模块、触摸屏、热电阻输入模块、12个固态继电器和二台变频器；晶体生长装置包括带夹套的培养罐、培养罐载晶架、过热过滤箱、带夹套的溶液配制罐、放置晶体原料的托盘、高饱和度平衡箱和生长溶液循环装置；

所述的一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法，具体包括以下步骤：(1)培养罐中装入生长溶液，晶核放到载晶架上后，系统进入运行准备状态，在触摸屏上进行初始设定值的设定：培养罐内生长溶液温度Tk是自然数，代表离散时刻，k∈[0,2400]；

(2)系统进入自动运行状态，计时器T开始计时；

(3)PLC主机模块通过变频器1控制载晶架交流电机带动载晶架以每分钟30转的速度顺时针旋转20圈，然后停止20秒，再以每分钟30转的速度逆时针旋转20圈，停止20秒；以此方法顺时针旋转、停止、逆时针旋转、停止，循环运行，使培养罐中的生长溶液与晶核充分接触；

旋转停止时通过晶体尺寸视觉测量装置在线检测生长晶体的尺寸：总高度HPLC主机模块检测培养罐内生长溶液的温度，通过控制培养罐夹套内的电加热器先加热夹套中的水，再通过罐壁热交换使培养罐内生长溶液的温度控制为T其中：T

计算k时刻生长晶体的体积

(4)判断计时器T等于1小时是否成立，不成立则转到步骤(3)；成立则转到步骤(5)；

(5)判断计时器k≥24是否成立，不成立则转到步骤(16)；成立则计算k时刻晶体比生长速率(6)判断计时器k＜2400或D(k)＜D

(7)判断E(k)≥E

(8)判断E(k)≥E

(9)判断E(k)≤E

(10)判断E(k)≤E

(11)判断E(k)≥E

(12)判断E(k)≤E

(13)判断F(k)≥F

(14)判断F(k)≤F

(15)计时器T清零，T

(16)晶体生长结束。