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专利号: 2020109801000
申请人: 宿迁学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-11-13
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种2G/3G/4G双极化陷波基站天线,包括介质基板(1),以及分别印刷在介质基板(1)上表面的上层金属层(2)和介质基板(1)下表面的下层金属层(3),其特征在于,所述上层金属层(2)和下层金属层(3)分别印制两对偶极子天线(9),所述偶极子天线(9)由共面波导馈电结构馈电,所述共面波导馈电结构包括共面波导陷波结构,所述共面波导陷波结构包括印刷在上层金属层(2)的电容金属馈线(7)和刻蚀在下层金属层(3)的六边形双环(8)。

2.根据权利要求1所述的2G/3G/4G双极化陷波基站天线,其特征在于,所述上层金属层(2)和下层金属层(3)的内部设有共面波导馈电结构。

3.根据权利要求1所述的2G/3G/4G双极化陷波基站天线,其特征在于,所述电容金属馈线(7)为矩形。

4.根据权利要求1所述的2G/3G/4G双极化陷波基站天线,其特征在于,所述六边形双环(8)为内外一大一小的双匝六边形开口环,内外环开口同向且相连。

5.根据权利要求1所述的2G/3G/4G双极化陷波基站天线,其特征在于,所述偶极子天线(9)外围为矩形结构,与交叉偶极子天线(9)的邻边为渐变曲线。

6.根据权利要求1所述的2G/3G/4G双极化陷波基站天线,其特征在于,还包括金属反射板(4)和同轴线(5),所述同轴线(5)与介质基板(1)连接,所述金属反射板(4)设置在介质基板(1)下方。