1.一种高精度的安全直流高压源，其特征在于，包括：壳体、直流供电模块、升压模块、控制器以及接线装置，所述直流供电模块、升压模块以及控制器均安装在壳体内，所述直流供电模块和升压模块均与控制器连接，所述直流供电模块与升压模块连接，所述接线装置安装在壳体上，所述升压模块与接线装置连接；

所述接线装置包括导电筒和导体棒，所述导电筒与升压模块连接的一端作为连接端，所述导电筒远离升压模块的一端作为工作端，所述导电筒工作端设有盲孔，所述盲孔轴向设有第一触头，所述盲孔径向设有一对沿圆周对称的支持块，所述盲孔径向设有一对沿圆周对称的继电器，所述导电筒连接端内部设有导气孔，所述导气孔一端连接第一触头，所述导气孔另一端连接导电筒连接端的外壁，所述导体棒中端为伸缩杆，所述导体棒包括弹簧、第二触头以及推气板，所述弹簧一端固定在导体棒后端，所述弹簧另一端固定在导体棒前端，所述第二触头安装在导体棒尾端，所述推气板镶嵌在导体棒后端，所述推气板与盲孔内壁抵接，所述支持块位于推气板靠近弹簧的一端，所述继电器位于弹簧后端并与弹簧抵接。

2.根据权利要求1所述的高精度的安全直流高压源，其特征在于，所述升压模块包括PWM控制单元、采样单元、反馈单元、整流滤波单元以及电子开关K1、K2，所述反馈单元和电子开关K1、K2均与PWM控制单元连接，所述反馈单元和整流滤波单元均与采样单元连接，所述整流滤波单元与电子开关K1、K2连接。

3.根据权利要求2所述的高精度的安全直流高压源，其特征在于，所述PWM控制单元包括芯片U1、芯片U2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R15、变压器T1以及二极管D2，所述芯片U1的IN+引脚与反馈单元连接，所述芯片U1的OUT A引脚与电阻R5连接，所述电阻R5另一端经电子开关K2与变压器A输入端连接，所述芯片U1的OUT B引脚与电阻R6一端连接，所述电阻R6另一端经电子开关K1与变压器B输入端连接，所述变压器T1的抽头经电阻R15与电源VCC1连接，所述变压器T1的输出端与整流滤波单元连接，所述芯片U1 引脚经电阻R4接地，所述芯片U2的V+引脚经电阻R3与二极管D2的阳极连接，所述芯片U2的CMPout引脚与二极管D2的阳极连接，所述二极管D2的阴极与芯片U1引脚连接。

4.根据权利要求3所述的高精度的安全直流高压源，其特征在于，所述反馈单元包括放大器A1、二极管D1、电容C1、电容C2、电阻R1以及电阻R2，所述放大器A1的输出端与芯片U1的IN+引脚连接，所述放大器A1的同相输入端与采样单元连接，所述放大器A1的反向输入端与逆变器连接，所述二极管D1的阳极与放大器A1的同相输入端连接，所述二极管D1的阴极与电源VCC2连接，所述电容C1一端与放大器A1的输出端连接，所述电容C1另一端与放大器A1的同相输入端连接，所述电阻R1与电容C1并联，所述电容C2一端与电容C1连接，所述电容C2另一端与电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端与电容C1连接。

5.根据权利要求4所述的高精度的安全直流高压源，其特征在于，所述采样单元包括电阻R12、电阻R13以及电阻R14，所述电阻R14一端经电阻R12与放大器A1的同相输入端连接，所述电阻R14另一端与整流滤波单元连接，一端接地的所述电阻R13另一端与电阻R12靠近电阻R14的一端连接。

6.根据权利要求5所述的高精度的安全直流高压源，其特征在于，所述电子开关K1包括MOS管Q1、电容C3、电阻R7、电阻R9，所述MOS管Q1的栅极与电阻R6连接，一端接地的所述电阻R7另一端与MOS管Q1的栅极连接，所述MOS管Q1的漏极与变压器T1的B输入端连接，所述电阻R9一端与MOS管Q1的源极连接并接地，所述电阻R9另一端经电容C3与MOS管Q1的漏极连接；

所述电子开关K2包括MOS管Q2、电容C4、电阻R8、电阻R10，所述MOS管Q2的栅极经电阻R8接地，所述MOS管Q2的栅极与电阻R5连接，所述MOS管Q2的漏极与变压器T1的A输入端连接，所述电阻R10一端与MOS管Q2的源极连接并接地，所述电阻R10另一端经电容C4与MOS管Q2的漏极连接。

7.根据权利要求6所述的高精度的安全直流高压源，其特征在于，所述整流滤波单元包括整流桥VD3、电感L1、电阻R11、电容C5以及电容C6，所述变压器T1的输出端与整流桥VD3输入端连接，所述电容C5一端和电感L1一端均与整流桥VD3的正极连接，所述电容C5另一端与整流桥VD3负极连接，所述电感L1另一端与电容C6连接，所述电阻R14另一端连接在电容C5和电感L1之间，所述电容C6与电容C5并联，所述电阻R11与电感L1连接。

8.根据权利要求1‑7任一项所述的高精度的安全直流高压源，其特征在于，所述壳体包括按键和LCD显示屏，所述按键和LCD显示屏均与升压模块连接，所述按键包括输入按键、校准按键、上调按键以及下调按键。