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专利号: 2020108241586
申请人: 五邑大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 电解或电泳工艺;其所用设备〔4〕
更新日期:2024-01-31
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种纳米氢氧化镍铁薄膜,其特征在于:所述纳米氢氧化镍薄膜分布有三维、双连续孔结构且化学成分为NixFey(OH)2;其中,x+y=1,x>0,y>0。

2.一种如权利要求1所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、制备镓镍合金;

S2、将步骤S1制备的镓镍合金通过脱合金法制得表面含有纳米结构Ni的Ni薄膜,通过循环伏安法将表面的纳米结构Ni氧化成Ni(OH)2,得Ni-Ni(OH)2薄膜;

S3、将步骤S2制得的Ni-Ni(OH)2薄膜置于铁盐溶液中,反应后,得到所述纳米氢氧化镍铁薄膜,其中,所述纳米结构Ni具有三维、双连续结构。

3.根据权利要求2所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S1中制备镓镍合金,具体包括:将镓熔化后涂覆于镍片上,100~250℃下退伙处理,得到Ga-Ni合金;优选地,所述退伙处理的时间为1~6h。

4.根据权利要求2所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S2中脱合金法包括以下步骤:将Ga-Ni合金置于碱性溶液中进行腐蚀处理2~10h。

5.根据权利要求2至4任一项所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S2中循环伏安法包括以下步骤:在碱性环境下,将表面含有纳米结构Ni的Ni薄膜作为工作电极,在1.0~1.6V的电压范围内,将表面的孔状纳米结构Ni氧化成Ni(OH)2。

6.根据权利要求5所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法,其特征在于:所述循环伏安法中扫描速度为20~100mV/s,循环圈数是10~100;优选地,扫描速度为20~80mV/s。

7.根据权利要求2至4任一项所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S3中铁盐中Fe3+的浓度在0.1~1mol/L之间。

8.根据权利要求2至4任一项所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S3还包括将Ni-Ni(OH)2薄膜置于无水乙醇中超声除去杂质后再置于铁盐溶液中的步骤;优选地,所述超声时间为30~60min。

9.一种如权利要求1所述的纳米氢氧化镍铁薄膜在析氧反应催化剂制备中的应用。

10.一种如权利要求1所述的纳米氢氧化镍铁薄膜在氢气制备中的应用。