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专利号: 2020106866592
申请人: 大同新成新材料股份有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2025-11-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种半导体制冷石墨烯芯片,包括导热金属层(1),其特征在于:所述导热金属层(1)顶部的中间位置处均匀设置有散热孔(5),所述导热金属层(1)的底部设置有芯片主体层(2),所述芯片主体层(2)的底部设置有底座(3),所述底座(3)的底部均匀设置有连接针脚(4),所述芯片主体层(2)内部的中间位置处设置有电路板(6),所述芯片主体层(2)背面为L型结构,所述芯片主体层(2)背面一端一侧的中间位置处设置有安装槽(8),所述安装槽(8)内侧的一端设置有电磁铁A(7),所述电磁铁A(7)远离安装槽(8)的一端设置有电磁铁B(9),所述电磁铁B(9)的内部设置有金属端子B(11),所述芯片主体层(2)背面一端远离安装槽(8)一侧的中间位置处设置有限位块(12),所述限位块(12)内部的中间位置处设置有金属端子A(10)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体制冷石墨烯芯片,其特征在于:所述导热金属层(1)、芯片主体层(2)、底座(3)之间均涂抹有绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的一种半导体制冷石墨烯芯片,其特征在于:所述电路板(6)的表面均涂抹有石墨烯涂层。

4.根据权利要求1所述的一种半导体制冷石墨烯芯片,其特征在于:所述金属端子A(10)为内凹型结构,且金属端子B(11)为外凸型结构。

5.根据权利要求1所述的一种半导体制冷石墨烯芯片,其特征在于:所述导热金属层(1)采用铜制材料。

6.根据权利要求1所述的一种半导体制冷石墨烯芯片,其特征在于:所述电路板(6)采用覆铜板材质。