1.一种半导体石墨晶圆，其特征在于，包括以下重量份的原料：氧化石墨烯10‑20份、乙醇20‑30份、硅晶圆、有机硅油1‑5份、改性硅铝炭黑1‑5份、聚硅氧烷5‑10份、聚四氟乙烯5‑

10份、氮化硅1‑5份、二硫化钼2‑7份、聚氨酯丙烯酸酯1‑5份、氮化碳1‑5份、丙烯酸树脂粉末

3‑9份；

一种半导体石墨晶圆的制备步骤为：

S1：将氧化石墨烯加入到乙醇中，配制成浓度0.05‑10mg/ml的乙醇溶液；

S2：然后将有机硅油、改性硅铝炭黑、聚硅氧烷、聚四氟乙烯、氮化硅、二硫化钼放进混合设备内进行搅拌混合，制得第一混合物；

S3：将聚氨酯丙烯酸酯、氮化碳、丙烯酸树脂粉末加入到第一混合物中搅拌混合，制得第二混合物；

S4：将第二混合物与乙醇溶液搅拌混合，制得第三混合物；

S5：将第三混合物涂于硅晶圆表面，干燥后置入气氛炉中恒温热处理，得到半导体石墨晶圆；

所述S2中，将有机硅油、改性硅铝炭黑、聚硅氧烷、聚四氟乙烯、氮化硅、二硫化钼放进混合设备内进行搅拌混合，搅拌速度为300‑500r/min，搅拌时间为10‑15min，制得第一混合物；

所述S3中，将聚氨酯丙烯酸酯、氮化碳、丙烯酸树脂粉末加入到第一混合物中搅拌混合，搅拌速度为350‑550r/min，搅拌时间为15‑20min，制得第二混合物；

所述S4中，将第二混合物与乙醇溶液搅拌混合，搅拌速度为400‑600r/min，搅拌时间为

20‑25min，制得第三混合物；

所述S5中，将第三混合物涂于硅晶圆表面，干燥后置入气氛炉中恒温热处理，气氛炉的气氛为氢气，得到半导体石墨晶圆；

所述S5中，将第三混合物涂于硅晶圆表面，干燥后置入气氛炉中，于200‑500°C的温度下恒温热处理40‑60min，得到半导体石墨晶圆。

2.根据权利要求1所述的一种半导体石墨晶圆，其特征在于，包括以下重量份的原料：氧化石墨烯11‑19份、乙醇21‑29份、硅晶圆、有机硅油2‑4份、改性硅铝炭黑2‑4份、聚硅氧烷

6‑9份、聚四氟乙烯6‑9份、氮化硅2‑4份、二硫化钼3‑6份、聚氨酯丙烯酸酯2‑4份、氮化碳2‑4份、丙烯酸树脂粉末4‑8份。

3.根据权利要求1所述的一种半导体石墨晶圆，其特征在于，包括以下重量份的原料：氧化石墨烯15份、乙醇25份、硅晶圆、有机硅油3份、改性硅铝炭黑3份、聚硅氧烷7份、聚四氟乙烯7份、氮化硅3份、二硫化钼4份、聚氨酯丙烯酸酯3份、氮化碳3份、丙烯酸树脂粉末6份。

4.根据权利要求1所述的一种半导体石墨晶圆，其特征在于，所述S1中，将氧化石墨烯加入到乙醇中，配制成浓度5mg/ml的乙醇溶液。