1.一种低PMEPR的四相Z互补序列对的产生方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、任意选定长度为N的非周期二元Z互补序列对(a，b)作为种子对，并串行输入长度为

2N的移位寄存器，前N位寄存器按序列顺序存放a，后N位寄存器按序列顺序存放b；

S2、每一位寄存器输出乘‑2后与1相加，得到的结果分成两路；

S3、在前N位寄存器中，其中一路经过乘法电路获得第一路乘法，另一路经过乘法电路获得第二路乘法，在后N位寄存器中，其中一路经过乘法电路获得第三路乘法，另一路经过乘法电路获得第四路乘法；

S4、第一路乘法中的积与第四路乘法中的积相加，相加的值放置在前N位寄存器；第三路乘法中的积与第二路乘法中的积相加，相加的值放置在后N位寄存器；

S5、将输出移位寄存器中内容串行输出就得到非周期四相Z互补序列对(c，d)。

2.根据权利要求1所述的一种低PMEPR的四相Z互补序列对的产生方法，其特征在于，获得的序列对在序列长度、零相关区宽度与选用的种子对相同。

3.根据权利要求1所述的一种低PMEPR的四相Z互补序列对的产生方法，其特征在于，第一路乘法系数与第二路乘法系数之和为j，第三路乘法系数与第四路乘法系数之和为1，其2

中，j＝‑1。

4.根据权利要求3所述的一种低PMEPR的四相Z互补序列对的产生方法，其特征在于，第一路乘法的乘法系数为 第二路乘法的乘法系数为 第三路乘法的乘法系数为 第四路乘法的乘法系数为

5.根据权利要求1所述的一种低PMEPR的四相Z互补序列对的产生方法，其特征在于，第一路乘法与第四路乘法相加的积的对应寄存器的序号之和为N‑1，第三路乘法与第二路乘法相加的积的对应寄存器的序号之和为N‑1。

6.一种低PMEPR的四相Z互补序列对的产生装置，其特征在于，包括长度为2N的移位寄存器以及多个乘法电路、加法电路，2N的移位寄存器的前N位用于存放长度为N的非周期二元Z互补序列对(a，b)中的序列a、后N位用于存放长度为N的非周期二元Z互补序列对(a，b)中的序列b；

每位寄存器中的值通过乘法电路乘‑2后的值通过加法电路与1相加，并得到的结果分为两路；

前N位寄存器中其中一路通过乘法电路获得第一路乘法，另一路通过乘法电路获得第二路乘法；后N位寄存器通过乘法电路获得第三路乘法，另一路通过乘法电路获得第四路乘法；

第一路乘法获取的值与第四路乘法获取的值通过加法电路相加；第三路乘法获取的值与第二路乘法中第N‑i‑1位积通过加法电路相加，并将该相加后的值放在长度为2N的移位寄存器后N位寄存器中第i位寄存器中；

最后长度为2N的移位寄存器输出的前N位c、后N位d构成非周期四相Z互补序列对(c，d)。

7.根据权利要求6所述的一种低PMEPR的四相Z互补序列对的产生装置，其特征在于，获得的非周期四相Z互补序列对(c，d)的序列长度、零相关区宽度与非周期二元Z互补序列对(a，b)相同。

8.根据权利要求6所述的一种低PMEPR的四相Z互补序列对的产生装置，其特征在于，获取第一路乘法的乘法器系数与获取第二路乘法的乘法器系数之和为j，获取第三路乘法的2

乘法器系数与获取第四路乘法的乘法器系数之和为1，其中，j＝‑1。

9.根据权利要求8所述的一种低PMEPR的四相Z互补序列对的产生装置，其特征在于，获取第一路乘法的乘法器系数为 获取第二路乘法的乘法器系数为 获取第三路乘法的乘法器系数为 获取第四路乘法的乘法器系数为

10.根据权利要求6所述的一种低PMEPR的四相Z互补序列对的产生装置，其特征在于，第一路乘法与第四路乘法相加的积的对应寄存器的序号之和为N‑1，即将第一路乘法中第i个积与第四路乘法中第N‑i‑1个积相加，获得的值放置在长度为2N的移位寄存器前N位寄存器中的第i位寄存器中；第三路乘法与第二路乘法相加的积的对应寄存器的序号之和为N‑

1，即第三路乘法中第i个积与第二路乘法中第N‑i‑1个积相加，获得的值放置在长度为2N的移位寄存器后N位寄存器中的第i位寄存器中。