1.一种提高氧化铁纳米棒阵列光电阳极的光电响应的方法，其特征在于，将水热条件下在导电衬底表面生长的氧化铁纳米棒阵列光电阳极斜靠在反应釜中，将衬底上生长有氧化铁纳米棒阵列的导电面朝下，将乙二醇加到反应釜的三分之二后密封，水热反应0.1-64 小时，自然冷却后将衬底表面用去离子水洗涤，干燥得到乙二醇处理的氧化铁纳米棒阵列光电阳极。

2.根据权利要求1所述的提高氧化铁纳米棒阵列光电阳极的光电响应的方法，其特征在于，所述导电衬底为FTO导电衬底。

3.根据权利要求1所述的提高氧化铁纳米棒阵列光电阳极的光电响应的方法，其特征在于，所述水热反应的温度为100-180℃。