1.一种V掺杂Ni3S2纳米片/纳米棒复合结构电催化剂的制备方法，其特征在于：

1)称取80～120mg氯化钒(VCl3)和60～80mg尿素同时加入到20～30mL的去离子水中，磁力搅拌得到均匀溶液A；

2)将溶液A转移至50mL反应釜中，加入洁净的泡沫镍浸入溶液A中在130～180℃水热反应8～12h，清洗并干燥后得到NiV-LDH纳米片阵列前驱体；

3)然后在50mL反应釜中加入20～30mL乙醇溶剂与叔十二硫醇溶剂形成的混合溶液B，并浸入NiV-LDH纳米片阵列前驱体，置于120～200℃溶剂热反应3～6h，清洗并干燥后得到V掺杂Ni3S2纳米片/纳米棒复合结构电催化剂。

2.根据权利要求1所述的V掺杂Ni3S2纳米片/纳米棒复合结构电催化剂的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中泡沫镍面积为1cm*5cm。

3.根据权利要求1所述的V掺杂Ni3S2纳米片/纳米棒复合结构电催化剂的制备方法，其特征在于：所述步骤3)的混合溶液B为乙醇与叔十二硫醇的体积比为5：1～10：1。

4.一种如权利要求1所述的制备方法制备的V掺杂Ni3S2纳米片/纳米棒复合结构电催化剂，其特征在于：在泡沫镍表面合成出纳米片/纳米棒复合结构的V掺杂Ni3S2材料。

5.根据权利要求4所述的V掺杂Ni3S2纳米片/纳米棒复合结构电催化剂，其特征在于：该电催化剂在10mA cm-2的电流密度下，其产氢过电势为146mV，在100mA cm-2的电流密度下，其产氢过电势为259mV，在1000mA cm-2的电流密度下，其产氢过电势为503mV；在100mA cm-2的电流密度下，其产氧过电势为328mV，表现出较为优异的电化学产氢产氧活性。