1.一种光纤插芯、光纤套筒用纳米氧化锆粉体，其特征在于，所述纳米氧化锆粉体至少包括用于制作光纤插芯的第一粉体、用作制作光纤套筒的第一部分的第二粉体和用作制作光纤套筒的第二部分的第三粉体，其中，所述第一粉体采用由ZrOCl2·8H2O与ZrO(NO3)2·2H2O组成的复合锆源制得的凝胶前驱体经过凝胶热分解步骤和晶化步骤制得，从而具有分布在60.4至82.6nm范围内的粉体粒径，所述第二粉体采用由ZrOCl2·8H2O与Zr(SO4)2·4H2O组成的复合锆源制得的凝胶前驱体经过凝胶热分解步骤和晶化步骤制得，从而具有分布在78.6至97.8nm范围内的粉体粒径，并掺杂有第一含量C1的Zr2WP2O12，所述第三粉体采用由ZrOCl2·8H2O与Zr(SO4)2·4H2O组成的复合锆源制得的凝胶前驱体经过凝胶热分解步骤和晶化步骤制得，从而具有分布在78.6至97.8nm范围内的粉体粒径，并掺杂有不同于第一含量C1的第二含量C2的Zr2WP2O12。

2.如权利要求1所述的纳米氧化锆粉体，其特征在于，

制备所述第一粉体的凝胶热分解步骤温度为550℃至570℃，晶化步骤温度为860℃至

880℃，

制备所述第二粉体和第三粉体的凝胶热分解步骤温度为600℃至630℃，晶化步骤温度为910℃至950℃。

3.如权利要求2所述的纳米氧化锆粉体，其特征在于，

制备所述第一粉体的复合锆源中的ZrOCl2·8H2O与ZrO(NO3)2·2H2O的摩尔比为1：2，制备所述第二粉体和第三粉体的复合锆源中的ZrOCl2·8H2O与Zr(SO4)2·4H2O的摩尔比为2:1。

4.如权利要求3所述的纳米氧化锆粉体，其特征在于，1％≤C1≤5％，

1％≤C2≤5％，并且C1

5.如权利要求4所述的纳米氧化锆粉体，其特征在于，所述第一粉体在1250℃至1300℃烧结后得到的光纤插芯具有550至670MPa的抗弯强度。

6.如权利要求5所述的纳米氧化锆粉体，其特征在于，C1为2％的情况下，所述第二粉体在1250℃至1300℃温度烧结后得到的光纤套管的第一部分具有6.0×10-6/℃至7.4×10-6/℃的热膨胀系数。

7.如权利要求6所述的纳米氧化锆粉体，其特征在于，C2为4％的情况下，所述第三粉体在1250℃至1300℃烧结后得到的光纤套管的第二部分具有4.2×10-6/℃至5.6×10-6/℃的热膨胀系数。

8.一种光纤插芯、光纤套筒用纳米氧化锆粉体的制备方法，其特征在于，采用由ZrOCl2·8H2O与ZrO(NO3)2·2H2O组成的复合锆源制得的凝胶前驱体经过凝胶热分解步骤和晶化步骤制得具有分布在60.4至82.6nm范围内的粉体粒径的第一粉体，采用由ZrOCl2·8H2O与Zr(SO4)2·4H2O组成的复合锆源制得的凝胶前驱体经过凝胶热分解步骤和晶化步骤制得具有分布在78.6至97.8nm范围内的粉体粒径的粉体，并掺杂第一含量C1的Zr2WP2O12制得第二粉体，采用由ZrOCl2·8H2O与Zr(SO4)2·4H2O组成的复合锆源制得的凝胶前驱体经过凝胶热分解步骤和晶化步骤制得，从而具有分布在78.6至97.8nm范围内的粉体粒径的粉体，并掺杂有不同于第一含量C1的第二含量C2的Zr2WP2O12制得第三粉体。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

制备所述第一粉体的凝胶热分解步骤温度为550℃至570℃，晶化步骤温度为860℃至

880℃，

制备所述第二粉体和第三粉体的凝胶热分解步骤温度为600℃至630℃，晶化步骤温度为910℃至950℃。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，

制备所述第一粉体的复合锆源中的ZrOCl2·8H2O与ZrO(NO3)2·2H2O的摩尔比为1：2，制备所述第二粉体和第三粉体的复合锆源中的ZrOCl2·8H2O与Zr(SO4)2·4H2O的摩尔比为2:1，并且

1％≤C1≤5％，1％≤C2≤5％，并且C1