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专利号: 202010531730X
申请人: 深圳市爱德泰科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 发电、变电或配电
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种高驱动功率5G通信基站的电源,其特征在于,包括连接供电设备的PFC电路,所述PFC电路包括功率放大模块,所述功率放大模块通过IC芯片驱动2个MOS管导通,以增大输入电流。

2.根据权利要求1所述的电源,其特征在于,所述功率放大电路包括:2个IC芯片,1个整流桥堆,2个MOS管,2个电感,5个电感,9个电阻,9个电容,其中,芯片ICE3PCS03G的GATE引脚串联电阻(RT1)连接至芯片TC44201的INPUT引脚,芯片ICE3PCS03G的Isense引脚串联电阻(R182)后分别连接至MOS(Q36)和MOS管(Q37)的S极,芯片TC44201的OUT引脚6串联电阻(R167)后连接至MOS管(Q37)的G极,芯片TC44201的OUT引脚7与并联的电阻(R165)和二极管(D40)串联后连接至MOS管(Q36)的G极,二极管(D43)的一端连接至电阻(R167)和MOS管(Q37)之间后其另一端连接至芯片TC44201的OUT引脚7和电阻(R165)之间,电阻(R170)的一端连接至电阻(R165)和MOS管(Q36)之间后接地,电阻(R172)的一端连接至电阻(R167)和MOS管(Q37)之间后接地,电阻(R169)、电阻(R174)和电阻(R178)并联后的一端分别连接至MOS(Q36)和MOS管(Q37)的S极后接地,整流桥堆(D42)的V+引脚与并联的电感(L8)和二极管(D38)串联后连接至MOS管(Q36)的D极,整流桥堆(D42)的V+引脚串联电感(L9)后连接至MOS管(Q37)的D极,二极管(D39)和二极管(D41)串联后连接至MOS管(Q36)的D极和MOS管(Q37)的D极之间,电容(C79)的一端连接至整流桥堆(D42)的V+引脚后接地,芯片ICE3PCS03G的Icomp引脚串联电容(C88)后接地,芯片ICE3PCS03G的FREQ引脚与并联的电阻(R184)和电容(C94)的串联后接地,电容(C93)的一端连接至芯片ICE3PCS03G的Isense引脚后接地,电容(C92)的一端连接至芯片ICE3PCS03G的VSENSE引脚后接地,电容(C80)、电容(C82)、电容(C83)、电容(C84)并联后的一端连接至芯片ICE3PCS03G的VCC引脚和芯片TC44201的VDD引脚之间后接地。

3.根据权利要求2所述的电源,其特征在于,所述功率放大模块还包括防涌浪模块,所述防涌浪模块包括:1个二极管,1个继电器,6个电容,11个电阻,其中,并联的继电器(*28)、压敏电阻(*26)、压敏电阻(*27)与并联的电容(C71)、电容(C69)、电容(C70)以及并联的电容(C77)、电容(C75)、电容(C76)依次串联后的一端连接串联的二极管(D44)和电阻(R171),其另一端连接串联的电阻(R168)、电阻(R175)、电阻(R180)、电阻(R188)后接地,电阻(R166)、(R173)、电阻(R177)、电阻(R183)、电阻(R193)串联后的一端连接至电阻(R168)和电容(C76)之间后接地,芯片ICE3PCS03G的VSENSE引脚连接至电阻(R183)和电阻(R193)之间,电阻(R194)的一端连接至电阻(R183)和电阻(R193)之间后接地。

4.根据权利要求1至3任一项所述的电源,其特征在于,所述PFC电路还包括状态保护模块,所述状态保护模块包括:1个IC芯片,1个光耦,3个二极管,9个电阻,其中,二极管(D47)与电阻(R210)、电阻(R211)和电阻(R208)依次串联后连接至IC芯片(U9)的引脚INA-,电容(C98)、电阻(R220)和电阻(R218)并联后的一端连接至IC芯片(U9)的引脚INA-后接地,电阻(R224)和二极管(D56)串联后的一端连接至IC芯片(U9)的引脚INA+后其另一端连接至IC芯片(U9)的引脚OUTA,电阻(R221)和二极管(D55)串联后的一端连接至IC芯片(U9)的引脚INB-后其另一端连接至IC芯片(U9)的引脚OUTB,电阻(R225)与电阻(R222)串联后的一端连接至IC芯片(U9)的引脚OUTA和IC芯片(U9)的引脚OUTB之间后其另一端连接至光耦(PC5)的输入端,以将电压信号发送至控制中心CPU的接口CPU2.0。

5.根据权利要求4所述的电源,其特征在于,所述状态保护模块还包括:1个IC芯片,1个光耦,2个二极管,12个电阻,其中,光耦(PC5)的输入端连接至IC芯片(*33)的引脚OUTA,电阻(R197)和二极管(D51)串联后分别连接至IC芯片(*33)的引脚INA+和引脚OUTA,IC芯片(*

33)的引脚INA-连接至IC芯片(U9)的引脚INB+,串联的电阻(R204)和二极管(D50)设置于IC芯片(*33)的引脚INB-和IC芯片(*33)的引脚INB+之间后连接至光耦(PC6)的输入端,IC芯片(U9)的引脚OUTB+连接至光耦(PC6)的输入端,电阻(R228)和电阻(R226)串联连接至光耦(PC6)的输出端,控制中心CPU的接口CPU26连接至电阻(R228)和电阻(R226)之间。

6.根据权利要求5所述的电源,其特征在于,所述PFC电路还包括稳压模块,所述稳压模块包括:1个IC芯片,1个降压变压器,2个二极管,4个电容,3个电阻,其中,电容(C97)与电阻(R215)并联后连接至IC芯片(*38)的引脚GND和引脚LIM,并联的电阻(R207)、电阻(R205)和电容(C96)和二极管(D52)串联后设置在降压变压器(T1)的主绕组,降压变压器(T1)的主绕组连接至IC芯片(*38)的引脚DRAN,串联的降压变压器(T1)的副绕组、二极管(D53)与电容(C99)、电容(C100)并联后分别连接至IC芯片(*38)的引脚VDD和引脚COMP。

7.根据权利要求6所述的电源,其特征在于,所述稳压模块还包括:1个光耦,1个稳压芯片,1个二极管,2个电容,6个电阻,其中,电容(C101)设置于光耦(PC7)的输出端和IC芯片(*

38)的引脚COMP之间,稳压芯片(TL431)的第3引脚与电阻(R223)串联后连接至光耦(PC7)的输入端,串联的电容(C7)和电阻(R7)一端连接至光耦(PC7)的输入端后其另一端与并联的稳压芯片(TL431)的第2引脚、电阻(R227)并联后依次串联电阻(R219)、电阻(R213)、二极管(D48)和降压变压器(T1)的输出绕组,电阻(R212)的一端连接至二极管(D48)和电阻(R213)之间后其另一端连接至光耦(PC7)的输入端,输出电源端口设置在二极管(D48)和电阻(R213)之间。

8.根据权利要求5所述的电源,其特征在于,所述PFC电路还包括防雷击模块(130),所述防雷击模块(130)包括:4个压敏电阻,6个放电管,其中,压敏电阻(PT39)和压敏电阻(PT40)串联后与串联的压敏电阻(RT44)和压敏电阻(RT45)并联后分别连接至供电设备物理接口(*47)和供电设备物理接口(*48),放电管(*41)和放电管(*43)串联后的一端连接至压敏电阻(PT39)和压敏电阻(PT40)之间后其另一端连接至压敏电阻(RT44)和压敏电阻(RT45)之间,供电设备的物理接口(*42)连接至放电管(*41)和放电管(*43)之间。

9.根据权利要求8所述的电源,其特征在于,所述PFC电路还包括抗干扰模块(140),所述抗干扰模块(140)包括:2个变压器,2个电容,2个压敏电阻,其中,电容(C91)的两端分别连接变压器(L2)的初级线圈的接线端1和次级线圈的接线端2,变压器(L34)的初级线圈的接线端4和次级线圈的接线端3分别连接至电容(C91)的两端,压敏电阻(PT35)、电容(C95)和压敏电阻(PT37)并联后的两端分别连接至变压器(L34)的初级线圈的接线端1和次级线圈的接线端2。

10.根据权利要求9所述的电源,其特征在于,所述抗干扰模块(140)还包括:2个二极管,4个电阻,5个电容,二极管(D46)的一端连接至变压器(L34)的次级线圈的接线端2,二极管(D47)的一端连接至变压器(L34)的初级线圈的接线端1,二极管(D46)的另一端和二极管(D47)的另一端分别连接至串联的电阻(R185)、电阻(R181)和电阻(R176),电容(C87)和电阻(R179)并联后的一端连接至电阻(R176),电容(C85)和电容(C86)并联后与并联的电容(C90)和电容(C89)串联的一端连接至电阻(R185)和二极管(D46)之间后接地。