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专利号: 202010495016X
申请人: 中国地质大学(武汉)
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种利用空白校正确定X射线背景强度的方法,其特征在于,包括以下步骤:S101:利用电子探针通过波谱仪测试待测样品中待测元素的特征X射线的总强度IPEAK-unk;

S102:选取空白标样,并利用电子探针通过波谱仪测试空白标样的待测元素特征X射线总强度IPEAK-blk;

S103:利用电子探针通过波谱仪测试原始标样中待测元素的特征X射线的净计数INET-std;

S104:根据INET-std和原始标样中待测元素的含量与空白标样中待测元素的含量计算空白标样中待测元素的特征X射线的净计数INET-blk;

S105:根据INET-blk、IPEAK-blk、IPEAK-unk计算待测样品中的待测元素的净计数INET-unk;

S106:根据INET-unk和INET-std与原始标样中待测元素的含量计算待测样品中待测元素的含量Cunk。

2.如权利要求1所述的一种利用空白校正确定X射线背景强度的方法,其特征在于,步骤S102中,所述空白标样的组成成分与所述待测样品的组成成分一致,但所述空白标样中待测元素的含量比所述待测样品中待测元素的含量低。

3.如权利要求2所述的一种利用空白校正确定X射线背景强度的方法,其特征在于,所述空白标样中待测元素的含量为Cblk;所述原始标样中待测元素的含量为Cstd;Cblk和Cstd均为已知值。

4.如权利要求1所述的一种利用空白校正确定X射线背景强度的方法,其特征在于:步骤S104中,根据INET-std和原始标样中待测元素的含量与空白标样中待测元素的含量计算空白标样中待测元素的特征X射线的净计数INET-blk,计算公式如式(1)所示:INET-blk=INET-std*(Cblk/Cstd)*(Mstd/Mblk)       (1)式(1)中Mstd和Mblk分别为所述原始标样的基质校正因子和所述空白样品的基质校正因子;Mstd和Mblk均为已知值。

5.如权利要求1所述的一种利用空白校正确定X射线背景强度的方法,其特征在于:步骤S105中,根据INET-blk、IPEAK-blk、IPEAK-unk计算待测样品中的待测元素的净计数INET-unk,计算公式如式(2)所示:

6.如权利要求1所述的一种利用空白校正确定X射线背景强度的方法,其特征在于:步骤S106中,根据INET-unk和INET-std与原始标样中待测元素的含量计算待测样品中待测元素的含量Cunk,计算公式如式(3):Cunk=Cstd*(INET-unk/INET-std)*(Munk/Mstd)          (3)。