1.一种基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：采用气相渗透技术，以MoCl5作为前驱体，通过气相渗透循环将MoCl5对聚噻吩衍生物初始薄膜进行原位掺杂改性，制备得到基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜；

其中，通过改变气相渗透循环的循环次数，能够实现对聚噻吩衍生物导电薄膜中MoCl5的渗透厚度的控制。

2.根据权利要求1所述的基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜的制备方法，其特征在于，气相渗透循环的具体操作包括：

1)将聚噻吩衍生物初始薄膜放入气相渗透装置的反应腔室内，将该反应腔室的压强控制为40-60Pa后，以流量为40-60sccm通入惰性气体；

2)将前驱体MoCl5脉冲3-5s进入该反应腔室内，然后将聚噻吩衍生物初始薄膜在前驱体MoCl5中曝光90-120s，最后使用惰性气体吹扫40-60s；

其中，通过重复步骤2)，实现多次气相渗透循环的操作。

3.根据权利要求2所述的基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述渗透循环过程中，该反应腔室内温度为70-85℃，压力为10000～12000Pa。

4.根据权利要求1所述的基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜的制备方法，其特征在于，聚噻吩衍生物初始薄膜采用溶液流延法制得，具体操作包括：a)将聚噻吩衍生物于良溶剂中完全溶解，得到混合溶液；

b)将混合溶液涂布于可剥离载体上，加热干燥后制得聚噻吩衍生物初始薄膜。

5.根据权利要求4所述的基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤a)中，聚噻吩衍生物与良溶剂的混合用量比为27-33mg：1ml。

6.根据权利要求4所述的基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜的制备方法，其特征在于，良溶剂为1,2-二氯苯或氯仿。

7.采用权利要求1～6中任意一项所述的制备方法制得的基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜。

8.根据权利要求7所述的基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜，其特征在于，所述薄膜的电导率达到0.342S/cm。

9.采用权利要求7所述的基于原位掺杂改性的聚噻吩衍生物导电薄膜用于制备电子器件的应用。