1.基于对称性破坏微盘阵列的太赫兹开关，其特征是，包括：

衬底，所述衬底上方设有圆形微盘，所述圆形微盘上设有矩形槽，所述矩形槽的轴向中心线的延长线穿过圆形微盘的圆心，所述矩形槽的中心点偏离圆形微盘的圆点设定距离；

激光垂直照射在圆形微盘的正上方；

通过激光是否照射到圆形微盘上，来决定太赫兹波是否通过圆形微盘，以实现对太赫兹波的开或关。

2.如权利要求1所述的太赫兹开关，其特征是，太赫兹波从圆形微盘的正上方垂直射入圆形微盘：当无外加激光时，圆形微盘中存在太赫兹谐振频率；太赫兹谐振频率下的太赫兹波辐射入射到圆形微盘后，将被约束在圆形微盘内振荡，从而整体太赫兹波透过率低，太赫兹波不能通过圆形微盘；

当有外加激光时，在圆形微盘内产生的光生载流子密度增大，从而影响到圆形微盘在太赫兹波段的折射率，谐振频率发生改变，这样原本不能通过圆形微盘的太赫兹波，就能通过圆形微盘从基底下表面输出。

3.如权利要求2所述的太赫兹开关，其特征是，当外加激光的功率由零逐渐上升时，圆形微盘内光生载流子密度也随之逐渐变大，圆形微盘在太赫兹波段的折射率逐渐改变，圆形微盘的谐振频率逐渐偏离，此时原谐振频率下的太赫兹波经过圆形微盘后的透过率上升，太赫兹波通过圆形微盘。

4.如权利要求1所述的太赫兹开关，其特征是，

所述圆形微盘，为基于半导体材料的微盘周期性阵列；

或者，所述激光为泵浦激光；

或者，所述太赫兹波的工作频率为圆形微盘的谐振频率。

5.如权利要求1所述的太赫兹开关，其特征是，所述矩形槽并非位于圆形微盘中心，而是位于圆形微盘单侧，从而打破了圆形微盘的对称性，并且使得微盘阵列在太赫兹辐射正入射时能够激发品质因子大于2000的谐振模式。

6.如权利要求4所述的太赫兹开关，其特征是，泵浦激光的功率密度在10μW/cm2的数量级，即实现谐振频率处太赫兹波透过率从0到50％以上的变化。

7.如权利要求6所述的太赫兹开关，其特征是，谐振频率在1.1THz时，谐振的带宽在

0.5GHz，表明这种谐振的品质因子大于2000，并且该谐振的谐振频率能够通过圆形微盘半径的调整来改变，品质因子也通过调整矩形槽的尺寸和横向位置来进一步改善；

或者，当圆形微盘的材料为高阻硅半导体材料时，泵浦激光采用波长在760-820nm的钛-蓝宝石激光；

或者，当圆形微盘的材料为半导体外延材料时，泵浦激光采用波长在1540-1560nm的光通信激光；

或者，所述谐振效应是磁偶极子模式，其偶极矩方向垂直于圆形微盘表面。

8.基于对称性破坏微盘阵列的太赫兹开关的工作方法，其特征是，包括：通过激光是否照射到圆形微盘上，来决定太赫兹波是否通过圆形微盘，以实现对太赫兹波的开或关；

太赫兹波从圆形微盘的正上方垂直射入圆形微盘：

当无外加激光时，圆形微盘中存在太赫兹谐振频率；太赫兹谐振频率下的太赫兹波辐射入射到圆形微盘后，将被约束在圆形微盘内振荡，从而整体太赫兹波透过率低，太赫兹波不能通过圆形微盘；

当有外加激光时，在圆形微盘内产生的光生载流子密度增大，从而影响到圆形微盘在太赫兹波段的折射率，谐振频率发生改变，这样原本不能通过圆形微盘的太赫兹波，就能通过圆形微盘从基底下表面输出。

9.如权利要求8所述的工作方法，其特征是，当外加激光的功率由零逐渐上升时，圆形微盘内光生载流子密度也随之逐渐变大，圆形微盘在太赫兹波段的折射率逐渐改变，圆形微盘的谐振频率逐渐偏离，此时原谐振频率下的太赫兹波经过圆形微盘后的透过率上升，太赫兹波通过圆形微盘。

10.如权利要求8所述的工作方法，其特征是，所述圆形微盘设置在基底上，所述圆形微盘上设有矩形槽，所述矩形槽的轴向中心线的延长线穿过圆形微盘的圆心，所述矩形槽的中心点偏离圆形微盘的圆点设定距离；激光垂直照射在圆形微盘的正上方。