1.一种TiO2/Au/CoPi复合纳米管阵列光阳极的制备方法，依次包括TiO2纳米管阵列薄膜的制备、TiO2/Au纳米管阵列薄膜的制备和TiO2/Au/CoPi纳米管阵列薄膜的制备，其特征在于：所述TiO2/Au/CoPi纳米管阵列薄膜的制备是将TiO2/Au纳米管阵列薄膜作为工作电极，Pt片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，以Co(NO3)2磷酸盐缓冲溶液为电解液，在可见光下光电沉积磷酸钴盐（CoPi）助催化剂，然后取出用去离子水清洗、干燥。

2.如权利要求1所述的一种TiO2/Au/CoPi复合纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于：上述Co(NO3)2磷酸盐缓冲溶液是将Co(NO3)2溶解于磷酸盐缓冲溶液，形成的溶液中Co(NO3)2的浓度为0.05mmol/L，磷酸盐缓冲溶液的pH值为6.8 7.0。

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3.如权利要求1或2所述的一种TiO2/Au/CoPi复合纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于：上述CoPi光电沉积过程中，光源为λ > 420 nm的可见光，沉积电位为0.3 0.6 V，沉~积时间为50 1000 s。

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4.如权利要求1-3任一项所述的一种TiO2/Au/CoPi复合纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于：上述TiO2纳米管阵列薄膜的制备是将钛片基底进行预处理，以等体积的浓度为0.4M的 NH4F和浓度为0.2M的H3PO4的混合溶液为电解液，以Ti片作为工作电极，Pt片为对电极，在20 V的电压下进行阳极氧化7 h，然后置于马弗炉中500oC焙烧2 h，得到锐钛矿型的TiO2纳米管阵列薄膜。

5.如权利要求1-4任一项所述的一种TiO2/Au/CoPi复合纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于：所述TiO2/Au纳米管阵列薄膜的制备是将TiO2纳米管阵列在浓度为1 mM的HAuCl4溶液中超声处理3~6 min，然后以其为工作电极，Pt片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，以浓度为1mM的HAuCl4水溶液为电解液，利用恒电位脉冲电沉积，得到TiO2/Au纳米管阵列薄膜。

6.如权利要求5所述的一种TiO2/Au/CoPi复合纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征在于：所述恒电位脉冲电沉积的电位和时间为：Eon = -3 V，ton = 0.05 s，Eoff= 0.8 V，toff= 

0.1 s，on-off循环次数为800 1000。

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7.一种TiO2/Au/CoPi复合纳米管阵列光阳极的制备方法，其特征值在于，按如下步骤进行：

1）TiO2纳米管阵列薄膜的制备

将钛片基底进行预处理，以等体积的浓度为0.4M的NH4F和浓度为0.2M的H3PO4的混合溶液为电解液，以Ti片作为工作电极，Pt片为对电极，在20 V的电压下进行阳极氧化7 h，然后置于马弗炉中500oC焙烧2 h，得到锐钛矿型的TiO2纳米管阵列薄膜；

2）TiO2/Au纳米管阵列薄膜的制备

将步骤1）制备的TiO2纳米管阵列在浓度为1mM的HAuCl4溶液中超声处理3 6min，然后以~其为工作电极，Pt片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，以浓度为1mM的HAuCl4水溶液为电解液，利用恒电位脉冲电沉积，得到TiO2/Au纳米管阵列薄膜，脉冲电沉积电位和时间为Eon = -3 V，ton = 0.05 s，Eoff= 0.8 V，toff= 0.1 s，on-off循环次数为800~1000；

3）TiO2/Au/CoPi纳米管阵列薄膜的制备

将步骤2）制备的TiO2/Au纳米管阵列薄膜作为工作电极，Pt片为对电极，Ag/AgCl电极为参比电极，以Co(NO3)2溶解于磷酸盐缓冲溶液中形成的混合溶液为电解液，其中Co(NO3)2的浓度为0.05mmol/L，磷酸盐缓冲溶液的pH值为6.8 7.0，在光源为λ > 420 nm的可见光下进~行光电沉积磷酸钴盐（CoPi）助催化剂，沉积电位为0.3 0.6 V，沉积时间为50 1000 s，然后~ ~取出用去离子水清洗、干燥。