1.非对称Chireix合成架构，其特征在于：包括第一支路和第二支路，所述第一支路设置第一功率放大器，所述第二支路设置第二功率放大器，所述第一功率放大器的输入端与第一信号相连接，所述第二功率放大器的输入端与第二信号相连接，所述第一信号和第二信号为非对称恒包络相位调制信号；所述第一功率放大器和第二功率放大器的输出端与非对称Chireix功率合成器相连接；

非对称Chireix功率合成器包括第一微带线TL非对称的恒包络相位调制信号的幅度不同，分别为V第五微带线TL

两支路的输出电流如式(3)所示:I1＝Am1(sinφm1-jcosφm1)I2＝A

其中A

根据式(3)，阻抗用相位变量表示，如式(4)所示：将式(4)带入式(2)可以得出第五微带线TL第二微带线TL

其中，Y

2.根据权利要求1所述的非对称Chireix合成架构，其特征在于：第一微带线TL

3.根据权利要求1所述的非对称Chireix合成架构，其特征在于：第一功率放大器和第二功率放大器为开关类功率放大器。

4.非对称Chireix合成架构的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：利用ADS软件模拟输入上下两路非对称恒包络相位调制信号；

步骤S2：根据应用需求选取第一功率放大器和第二功率放大器；

步骤S3：得出第五微带线TL

其中，R

其中A

步骤S3：根据晶体管的寄生参数，传统Chireix合成器两支路加入的对称电抗，以及非对称Chireix合成器额外增加的电抗，共同确定第一微带线TL步骤S4：计算得出第一微带线TL