1.一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、获取变换器输出电压及输入电感电流；

S2、通过SiC MOSFET及其驱动的数据手册获取相关参数信息；

S3、利用所提公式计算SiC MOSFET漏源电压为输出电压时的输出电荷；

S4、利用所提公式计算死区时间一T1，并将续流SiC MOSFET关断后的死区设为N倍的死区时间一，1.5≤N≤2；

S5、利用所提公式计算死区时间二T2；

S6、将死区时间二T2与N倍的T1及变换器允许的最大死区时间Tmax比较，并根据比较结果将主动SiC MOSFET关断后的死区设为死区时间二、N倍的T1或最大死区时间。

2.根据权利要求1所述的一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法，其特征在于：通过变换器输出电压、输入电感电流以及SiC MOSFET与其驱动板的相关参数信息，计算死区时间一T1与死区时间二T2。将续流SiC MOSFET关断后的死区设置为N倍的T1，其中1.5≤N≤2，并根据T2与N·T1以及变换器允许最大死区时间Tmax的大小比较结果，将主动SiC MOSFET关断后的死区设定为T2、N·T1或Tmax。

3.根据权利要求1所述的一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法，其特征在于：需要测量变换器输出电压vout及输入电感电流iL。

4.根据权利要求1所述的一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法，其特征在于：所述SiC MOSFET及其驱动板的参数信息包括SiC MOSFET的内部驱动电阻Rgin、输入电容Ciss、门槛电压Vth、额定工作电压Vr下的输出电容Cossr及输出电荷Qossr、驱动板的驱动电阻Rdriver、驱动电容Cdriver、驱动电压最小值Vmin及驱动电压最大值Vmax。

5.根据权利要求4所述的一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法，其特征在于：根据以下公式计算SiC MOSFET漏源电压为输出电压vout时的输出电荷Qoss(vout)：Qoss(vout)＝Qossr-Cossr·(Vr-vout)。

6.根据权利要求5所述的一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法，其特征在于：根据以下公式计算死区时间一T1：将续流SiC MOSFET M2关断后的死区时间设置为N倍的T1，1.5≤N≤2。

7.根据权利要求6所述的一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法，其特征在于：根据以下公式计算死区时间二T2：

8.根据权利要求7所述的一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法，其特征在于：根据比较结果将主动SiC MOSFET关断后的死区设为死区时间二T2、N倍的T1或变换器允许的最大死区时间Tmax，具体包括：如果死区时间二T2满足N·T1≤T2≤Tmax，则将主动SiC MOSFET关断后的死区时间设定为T2；

如果死区时间二T2满足T2

如果死区时间二T2满足T2>Tmax，则将主动SiC MOSFET关断后的死区时间设定为Tmax。