1.一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流‑直流变换器死区设置方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、获取变换器输出电压及输入电感电流；

S2、通过SiC MOSFET及其驱动板的数据手册获取相关参数信息；

S3、利用公式一计算SiC MOSFET漏源电压为输出电压时的输出电荷；

所述SiC MOSFET及其驱动板的参数信息包括SiC MOSFET的内部驱动电阻Rgin、输入电容Ciss、门槛电压Vth、额定工作电压Vr下的输出电容Cossr及输出电荷Qossr、驱动板的驱动电阻Rdriver、驱动电容Cdriver、驱动电压最小值Vmin及驱动电压最大值Vmax；变换器输出电压vout及输入电感电流iL；

所述公式一为：Qoss(vout)＝Qossr‑Cossr·(Vr‑vout)；

S4、利用公式二计算死区时间一T1，并将续流SiC MOSFET关断后的死区设为N倍的死区时间一，1.5≤N≤2；

所述公式二为： 将续流SiC MOSFET关断后的死区时间设置为N倍的T1，1.5≤N≤2；

S5、利用公式三计算死区时间二T2；

所述公式三为：

S6、将死区时间二T2与N倍的T1及变换器允许的最大死区时间Tmax比较，并根据比较结果将主动SiC MOSFET关断后的死区设为死区时间二、N倍的T1或最大死区时间；具体包括：如果死区时间二T2满足N·T1≤T2≤Tmax，则将主动SiC MOSFET关断后的死区时间设定为T2；

如果死区时间二T2满足T2

如果死区时间二T2满足T2>Tmax，则将主动SiC MOSFET关断后的死区时间设定为Tmax。