1.一种脉冲序列控制的PCCM Buck变换器，其特征在于，包括：主电路、电流检测电路、第一电压比较器、第二电压比较器、电荷控制电路、脉冲选择电路和逻辑控制电路；

所述主电路包括第一开关管、第二开关管、第三开关管、电感和第一电容；

所述第一开关管的源级接入所述主电路的第一电压输入端，所述第一开关管的漏级与所述第二开关管的漏级和所述电感的一端连接，所述电感的另一端与所述第三开关管的漏极连接，所述第二开关管的源级接入所述主电路的第二电压输入端，所述第三开关管的源级与所述第一开关管的漏级连接，所述第三开关管的漏级与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述第二开关管的源级连接；

所述主电路的输出端耦合至所述第一电压比较器的反向输入端，所述第一电压比较器的正向输入端接入基准电压；

所述第一电压比较器的输出端耦合至所述脉冲选择电路的输入端，所述脉冲选择电路的输出端耦合至所述第一开关管，以及所述逻辑控制电路的第一输入端；

所述电流检测电路的输入端耦合至所述第二开关管的源极和栅极，所述电流检测电路的电压输出端耦合至所述第二电压比较器的反向输入端，所述第二电压比较器的正向输入端耦合至所述电荷控制电路的输出端，所述第二电压比较器的输出端耦合至所述逻辑控制电路的第二输入端；

所述逻辑控制电路的输出端耦合至所述第二开关管和所述第三开关管；

所述电荷控制电路用于提供续流值；

所述电流检测电路还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管和第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管以及第四NMOS管；

所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管以电流镜结构连接，所述第四PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏级，以及所述第二NMOS管的漏级连接，所述第四PMOS管的漏级与所述第二NMOS管的源级，以及所述第四NMOS管的漏级连接；

所述第五PMOS管和所述第六PMOS管以电流镜结构连接，所述第五PMOS管和所述第六PMOS管的栅极，以及所述第六PMOS管的漏级与所述第四PMOS管的源级连接；

所述第一NMOS管与所述第二NMOS管以电流镜结构连接，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极，以及所述第二NMOS管的漏级与所述第二PMOS管的漏级连接；

所述第三NMOS管的漏级与所述第一NMOS管的源级连接，所述第三NMOS管的栅极与所述第二开关管的栅极连接，所述第三NMOS管的源级与所述第二开关管的漏级连接；

所述第四NMOS管的栅极与所述第二开关管的栅极连接，所述第四NMOS管的源级接地；

所述电荷控制电路包括：第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管以及第二电容；

所述第五NMOS管、所述第六NMOS管和所述第七NMOS管以电流镜结构连接，所述第五NMOS管、所述第六NMOS管和所述第七NMOS管的栅极以及所述所述第五NMOS管的漏级接入电流源，所述第五NMOS管、所述第六NMOS管和所述第七NMOS管的源级接地；

所述第七PMOS管的栅极和漏级相连，所述第七PMOS管的与所述第八PMOS管以电流镜结构连接，所述第七PMOS管的与所述第八PMOS管的栅极连接所述第六NMOS管的漏级，所述第七PMOS管与所述第八PMOS管的源级接入电源；

所述第八NMOS管的栅极耦合至所述第二开关管，以接入所述第二开关管的驱动信号，所述第八NMOS管的源级与第七NMOS管的漏级连接；

所述第九PMOS管的栅极耦合至所述第三开关管，以接入所述第三开关管的驱动信号，所述第九PMOS管的源级与所述与所述第八PMOS管的漏级连接；

所述第八NMOS管和所述第九PMOS关的漏级，以及第二电容的一端相连并连接到所述电荷控制电路的输出端，所述第二电容的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的脉冲序列控制的PCCM Buck变换器，其特征在于，所述脉冲选择电路用于在任意一个开关周期开始时刻，当所述主电路的输出电压低于所述基准电压时，输出高占空比脉冲信号；否则，输出低占空比脉冲信号。

3.根据权利要求1或2所述的脉冲序列控制的PCCM Buck变换器，其特征在于，所述脉冲选择电路包括触发器、第一与门电路、第二与门电路和或门电路；

所述触发器的输入端接入所述第一电压比较器的输出端，所述触发器的高电平输出端接入所述第一与门电路的输入端，所述触发器的低电平输出端接入第二与门电路的输入端，所述第一与门电路和所述第二与门电路的输出端接入所述或门电路，所述或门电路的输出端耦合至所述第一开关管以及所述逻辑控制电路的第一输入端。

4.根据权利要求3所述的脉冲序列控制的PCCM Buck变换器，其特征在于，所述触发器包括D类触发器。

5.根据权利要求1所述的脉冲序列控制的PCCM Buck变换器，其特征在于，所述第一开关管为PMOS管，所述第二开关管和所述第三开关管为NMOS管。