欢迎来到知嘟嘟! 联系电话:13336804447 卖家免费入驻,海量在线求购! 卖家免费入驻,海量在线求购!
知嘟嘟
我要发布
联系电话:13336804447
知嘟嘟经纪人
收藏
专利号: 2020101824447
申请人: 西安理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电子电路
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
价格&联系人
年费信息
委托购买

摘要:

权利要求书:

1.一种低功耗恒定跨导轨对轨运算放大器,其特征在于,包括输入级,输入级由N/P型互补差分对和P型跨导恒定控制结构连接构成,输出级采用浮动电流源的互补推挽式AB类,输入级与输出级之间还设置有共源共栅求和电路,共模信号经输入级将共模电压信号转换成电流信号,实现信号的初步放大和对共模噪声的抑制,再经过中间级共源共栅求和电路进行电流的求和放大,将放大后的电流信号转换成电压信号传送到输出级,最后经互补推挽式AB类输出级对电压信号进行宽摆幅输出。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗恒定跨导轨对轨运算放大器,其特征在于,所述输入级具体结构为:包括由P型MOS管M5和P型MOS管M6构成的P型恒定跨导控制结构,其中,P型MOS管M5的栅极和P型MOS管M6的栅极分别接共模输入正负端,以达到对共模输入电压的实时监测,P型MOS管M5的漏极和P型MOS管M6的漏极相连后又与N/P型互补差分对的输出端连接,P型MOS管M5的源极和P型MOS管M6的源极相连后与N/P型互补差分对的输入端连接。

3.根据权利要求2所述的一种低功耗恒定跨导轨对轨运算放大器,其特征在于,所述N/P型互补差分对的结构为:包括由N型MOS管M1和N型MOS管M2组成的N型输入对管,其中,N型MOS管M1的源极和N型MOS管M2的源极相连后与所述P型MOS管M6的漏极连接,同时,N型MOS管M1的源极和N型MOS管M2的源极相连后还与N型MOS管M8的漏极连接,N型MOS管M8的源极分别与共源共栅求和电路、以及输出级连接,N型MOS管M1的漏极和N型MOS管M2的漏极分别连接至共源共栅求和电路,N型MOS管M1的栅极和N型MOS管M2的栅极分别接共模输入正负端,同时,N型MOS管M1的栅极还与P型MOS管M3的栅极相连,P型MOS管M3的栅极相连的漏极与所述共源共栅求和电路连接,N型MOS管M2的栅极还与P型MOS管M4的栅极相连,P型MOS管M4的漏极与所述共源共栅求和电路连接,P型MOS管M3的源极和P型MOS管M4的源极相连后共同连接至P型MOS管M7的漏极,P型MOS管M7的漏极同时还与P型MOS管M5的源极和P型MOS管M6的源极相连,P型MOS管M7的源极与电源VDD连接。

4.根据权利要求3所述的一种低功耗恒定跨导轨对轨运算放大器,其特征在于,所述共源共栅求和电路具体结构为:包括由8个MOS管M17~M24共同组成,其中,P型MOS管M17、P型MOS管M19、N型MOS管M21、N型MOS管M23为一组,与另外由P型MOS管M18、P型MOS管M20、N型MOS管M22、N型MOS管M24构成的一组一一对应构成折叠共源共栅放大器;

其中,P型MOS管M17的漏极与P型MOS管M19的源极连接,同时,P型MOS管M17的漏极与P型MOS管M19的源极连接后还与所述N型MOS管M1的漏极连接,P型MOS管M19的漏极通过所述输出级的浮动电流源后与N型MOS管M21的漏极连接,N型MOS管M21的源极又与N型MOS管M23的漏极连接,N型MOS管M21的源极同时还与所述P型MOS管M3的漏极连接,N型MOS管M23的源极还与所述N型MOS管M8的源极连接;

另一组中,P型MOS管M18的漏极与P型MOS管M20的源极连接,同时,P型MOS管M18的漏极与P型MOS管M20的源极连接后还与所述N型MOS管M2的漏极连接,P型MOS管M20的漏极通过所述输出级的浮动电流源后与N型MOS管M22的漏极连接,N型MOS管M22的源极又与N型MOS管M24的漏极连接,N型MOS管M22的源极同时还与所述P型MOS管M4的的漏极连接,N型MOS管M24的源极还与所述N型MOS管M8的源极连接;

所述P型MOS管M17和P型MOS管M18共栅极,P型MOS管M19和P型MOS管M20共栅极,N型MOS管M21和N型MOS管M22共栅极,N型MOS管M23和N型MOS管M24共栅极。

5.根据权利要求4所述的一种低功耗恒定跨导轨对轨运算放大器,其特征在于,所述输出级由MOS管M11~M14构成浮动电流源,由MOS管M15~M16构成推挽式输出电路,R1、R2和C1、C2分别作为调零电阻和密勒补偿电容。

6.根据权利要求5所述的一种低功耗恒定跨导轨对轨运算放大器,其特征在于,所述输出级具体结构为:包括与所述P型MOS管M19连接的P型MOS管M11,P型MOS管M11的源极与P型MOS管M19的漏极连接,P型MOS管M11的源极同时还与所述推挽式输出电路连接,P型MOS管M11的漏极与N型MOS管M12的源极连接,同时,P型MOS管M11的源极还与N型MOS管M12的漏极连接,N型MOS管M12的源极同时还与所述N型MOS管M21的漏极连接,N型MOS管M12同时还与所述推挽式输出电路连接;

还包括P型MOS管M13,P型MOS管M13的源极与所述P型MOS管M20的漏极连接,P型MOS管M13的漏极与N型MOS管M14的源极连接,同时,P型MOS管M13的源极还与N型MOS管M14的漏极连接,N型MOS管M14的源极同时还与所述N型MOS管M222的漏极连接;

所述P型MOS管M11和P型MOS管M13共栅极;N型MOS管M12和N型MOS管M14共栅极;

上述P型MOS管M11、P型MOS管M13、N型MOS管M12和N型MOS管M14共同构成浮动电流源。

7.根据权利要求6所述的一种低功耗恒定跨导轨对轨运算放大器,其特征在于,所述推挽式输出电路包括P型MOS管M15,P型MOS管M15的源极与所述P型MOS管M17的源极、P型MOS管M18的源极共同与电源VDD连接,P型MOS管M15的栅极与所述P型MOS管M11的源极连接,P型MOS管M15的漏极与N型MOS管M16的漏极连接,N型MOS管M16的栅极与所述N型MOS管M12的源极连接,N型MOS管M16的源极与所述N型MOS管M23的源极、N型MOS管M24的源极、N型MOS管M8的源极连接;

所述P型MOS管M15的栅极和N型MOS管M16的栅极之间还依次连接有电阻R1、电容C1、电容C2、电阻R2,电容C1、电容C2之间设节点与所述P型MOS管M15的漏极连接,并同时连接至输出电源Vout。

我要求购
我不想找了,帮我找吧
您有专利需要变现?
我要出售
智能匹配需求,快速出售