1.一种低压差线性稳压器LDO，其特征在于，包括：参考电压生成电路和源极跟随器，所述参考电压生成电路的第一端与所述源极跟随器的第一端连接，所述参考电压生成电路的第二端接地，所述源极跟随器的第二端用于与负载电路连接；

其中，所述参考电压生成电路用于生成随温度变化的参考电压，以抵消所述源极跟随器的第一端与第二端之间的电压随温度变化所产生的电压变化。

2.根据权利要求1所述的LDO，其特征在于，所述参考电压生成电路包括：第一NMOS晶体管和可调电阻，所述第一NMOS晶体管的栅极和漏极与所述源极跟随器的第一端连接，所述第一NMOS晶体管的源极通过所述可调电阻接地。

3.根据权利要求2所述的LDO，其特征在于，所述第一NMOS晶体管的栅极和漏极还用于接收温度系数可调的偏置电流Iptc。

4.根据权利要求2或3所述的LDO，其特征在于，所述源极跟随器包括：第二NMOS晶体管，其中，所述第二NMOS晶体管的栅极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第二NMOS晶体管的源极用于与所述负载电路连接，所述第二NMOS晶体管的漏极与电源电压连接。

5.根据权利要求4所述的LDO，其特征在于，所述第一NMOS晶体管与所述第二NMOS晶体管的类型相同，且所述第一NMOS晶体管的沟道长度与所述第二NMOS晶体管的沟道长度相同。

6.根据权利要求2或3所述的LDO，其特征在于，所述可调电阻为低温漂电阻。

7.根据权利要求6所述的LDO，其特征在于，所述可调电阻的温度系数为零温度系数。

8.根据权利要求4所述的LDO，其特征在于，所述第二NMOS晶体管的源极通过稳压电容接地。

9.一种MCU，其特征在于，包括：如权利要求1-8中任一项所述的LDO。

10.一种指纹模组，其特征在于，包括：如权利要求9所述的MCU。

11.一种终端设备，其特征在于，包括：如权利要求10所述的指纹模组。