1.一种嵌套矩形和E型结构的8陷波超宽带天线结构，其特征在于，包括：介质基板(4)；

金属接地面(5)，所述金属接地面(5)覆在介质基板(4)下表面；

辐射贴片(1)，所述辐射贴片(1)覆在介质基板(4)上表面，辐射贴片(1)以介质基板(4)竖向的中轴线为中轴线左右对称，辐射贴片(1)材质为金属，辐射贴片(1)内开有第一矩形开环谐振器(2)，第一矩形开环谐振器(2)内的辐射贴片(1)上开设有第二矩形开环谐振器(3)；

微带馈线(11)，所述微带馈线(11)覆在介质基板(4)上表面，微带馈线(11)上端与辐射贴片(1)电连接，微带馈线(11)的中轴线与介质基板(4)竖向的中轴线重合，微带馈线(11)右侧的上部和下部分别设有互补E型电磁带隙结构(6)和第一E型电磁带隙结构(9)，微带馈线(11)左侧设有第二E型电磁带隙结构(12)；

所述互补E型电磁带隙结构(6)包括：外E型电磁带隙结构(601)和内E型电磁带隙结构(602)，外E型电磁带隙结构(601)开口朝右，内E型电磁带隙结构(602)开口朝左，外E型电磁带隙结构(601)将内E型电磁带隙结构(602)包围。

2.根据权利要求1所述的嵌套矩形和E型结构的8陷波超宽带天线结构，其特征在于，所述辐射贴片(1)包括：上矩形贴片(101)，所述上矩形贴片(101)上下长度10.4mm，上矩形贴片(101)左右长度

14mm，第一矩形开环谐振器(2)开在上矩形贴片(101)内，第一矩形开环谐振器(2)的上边缘与上矩形贴片(101)上边缘；

所述第二矩形开环谐振器(3)的上部边缘与上矩形贴片(101)上边缘平行。

3.根据权利要求2所述的嵌套矩形和E型结构的8陷波超宽带天线结构，其特征在于，所述辐射贴片(1)还包括：下梯形贴片(102)，所述下梯形贴片(102)长边与上矩形贴片(101)下部边缘相同，下梯形贴片(102)长边与上矩形贴片(101)下部边缘对齐且连接为一体，下梯形贴片(102)短边长为7mm，下梯形贴片(102)高为5.6mm，微带馈线(11)上端与下梯形贴片(102)下部边缘电连接。

4.根据权利要求3所述的嵌套矩形和E型结构的8陷波超宽带天线结构，其特征在于，所述介质基板(4)材料采用Roggers5880，厚度为0.8mm，长为36mm，宽为32mm；

微带馈线(11)的宽度为2mm，长度为20mm，电阻为50Ω；

所述第一矩形开环谐振器(2)总长度为34mm；

所述第二矩形开环谐振器(3)总长度为32mm；

所述外E型电磁带隙结构(601)的上枝、连接枝和下枝的总长度为18.2mm，外E型电磁带隙结构(601)的中枝通过第一金属柱(8)与金属接地面(5)电连接，外E型电磁带隙结构(601)的上枝右端一体连接垂直向下的下垂枝，外E型电磁带隙结构(601)的下枝右端一体连接垂直向下的上垂枝，下垂枝的长度为1.1mm，上垂枝的长度为1.3mm；

所述内E型电磁带隙结构(602)的上枝、连接枝和下枝的总长度为11.4mm，内E型电磁带隙结构(602)中枝通过第二金属柱(7)与金属接地面(5)电连接；

所述第一E型电磁带隙结构(9)的开口朝右，第一E型电磁带隙结构(9)的上枝、连接枝和下枝的总长度为15mm，第一E型电磁带隙结构(9)通过第三金属柱(10)与金属接地面(5)电连接；

所述第二E型电磁带隙结构(12)的开口朝左，第二E型电磁带隙结构(12)的上枝、连接枝和下枝的总长度为23.4mm，第一E型电磁带隙结构(9)通过第四金属柱(13)与金属接地面(5)电连接；

第一金属柱(8)、第二金属柱(7)、第三金属柱(10)和第四金属柱(13)的直径为0.3mm。

5.根据权利要求4所述的嵌套矩形和E型结构的8陷波超宽带天线结构，其特征在于，所述外E型电磁带隙结构(601)的上枝和下枝长度相同；

所述内E型电磁带隙结构(602)的上枝和下枝长度相同，内E型电磁带隙结构(602)的中枝与外E型电磁带隙结构(601)的中枝在同一条直线上，内E型电磁带隙结构(602)的中枝左端与外E型电磁带隙结构(601)的中枝右端间距为1.2mm；

所述第一E型电磁带隙结构(9)的上枝和下枝长度相同；

所述第二E型电磁带隙结构(12)的上枝和下枝长度相同。

6.根据权利要求5所述的嵌套矩形和E型结构的8陷波超宽带天线结构，其特征在于，所述外E型电磁带隙结构(601)的连接枝长度为6.2mm；

所述内E型电磁带隙结构(602)的连接枝长度为4mm；

所述第一E型电磁带隙结构(9)的连接枝长度为5mm；

所述第二E型电磁带隙结构(12)的连接枝长度为8mm。

7.根据权利要求6所述的嵌套矩形和E型结构的8陷波超宽带天线结构，其特征在于，外E型电磁带隙结构(601)的中枝长度为1.5mm，第一金属柱(8)与微带馈线(11)的距离为1.88mm；

内E型电磁带隙结构(602)的中枝长度为1.2mm，第二金属柱(7)与与微带馈线(11)的距离为4.21mm；

第一E型电磁带隙结构(9)的中枝长度为2.6mm，第三金属柱(10)与微带馈线(11)的距离为2.05mm；

第二E型电磁带隙结构(12)的中枝长度为1.3mm，第四金属柱(13)与微带馈线(11)的距离为1.45mm。

8.根据权利要求7所述的嵌套矩形和E型结构的8陷波超宽带天线结构，其特征在于，外E型电磁带隙结构(601)与微带馈线(11)的间距为0.3mm；

第一E型电磁带隙结构(9)与微带馈线(11)的间距为0.3；

第二E型电磁带隙结构(12)与微带馈线(11)的间距为0.45mm。

9.根据权利要求8所述的嵌套矩形和E型结构的8陷波超宽带天线结构，其特征在于，所述第一矩形开环谐振器(2)槽宽为0.4mm；

所述第二矩形开环谐振器(3)槽宽为0.2mm；

所述外E型电磁带隙结构(601)的枝节宽0.3mm；

所述内E型电磁带隙结构(602)的枝节宽0.3mm；

所述第一E型电磁带隙结构(9)的枝节宽0.3mm；

所述第二E型电磁带隙结构(12)的枝节宽0.3mm。

10.根据权利要求9所述的嵌套矩形和E型结构的8陷波超宽带天线结构，其特征在于，所述第二矩形开环谐振器(3)与第一矩形开环谐振器(2)的左右间距为0.1mm，第二矩形开环谐振器(3)与第一矩形开环谐振器(2)的上下间距为0.6mm，第一E型电磁带隙结构(9)与介质基板(4)下边缘的距离为2mm，互补E型电磁带隙结构(6)与第一E型电磁带隙结构(9)的间距为5mm，第二E型电磁带隙结构(12)与介质基板(4)下边缘的距离为3.5mm。