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专利号: 2019112310637
申请人: 西南交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种磁约束聚变用超导D型线圈的制备方法,包括以下步骤:A、线圈骨架的制备

将高强度金属圆管加工成D型形状,得到线圈骨架(7);

B、绕制线圈

将数根高温超导带材(1)并排螺旋缠绕在线圈骨架(7)上,形成多层线圈缠绕层,且相邻缠绕层的高温超导带材(1)错开1/2‑1/3带材宽度的间距;得到超导D型线圈胚体;

C、线圈固化

利用真空浸渍设备对超导D型线圈胚体进行环氧树脂(3)浸渍固化或者石蜡(4)浸渍固化,得到固化的超导D型线圈;

D、铠甲加强

将固化的超导D型线圈的下半部置入适配的D型的下半管(2a)的矩形内腔中,再盖上形状与下半管(2a)对称的上半管(2b);并将下半管(2a)与上半管(2b)联结,形成包裹超导D型线圈的包套管(2);所述的包套管(2)是316L不锈钢管或者高强度铜合金管;然后,再次利用真空浸渍设备对包套管(2)内的环氧树脂(3)浸渍固化或者石蜡(4)浸渍固化,即得到磁约束聚变用超导D型线圈。

2.根据权利要求1所述的一种磁约束聚变用超导D型线圈的制备方法,其特征在于:所述的多层线圈缠绕层的层与层之间还嵌入有Kapton绝缘薄膜(5)。