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专利号: 2019111908535
申请人: 江苏理工学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电子电路
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种控制电路,其特征在于,包括:

模拟开关芯片U1,用以接收数字输入控制端输入的高或者低电平信号;

控制元件,接收所述模拟开关芯片U1的断开或者导通的状态信号以控制无触点开关的导通或关断状态;

电压偏置电路,所述电压偏置电路用以使所述控制元件处于饱和导通状态。

2.根据权利要求1所述的一种控制电路,其特征在于,还包括限流电阻R2和限流电阻R3,用以限制流过所述控制元件的电流的大小。

3.根据权利要求1所述的一种控制电路,其特征在于,所述控制元件为第一三极管T1和第二三极管T2。

4.根据权利要求3所述的一种控制电路,其特征在于,所述第一三极管T1为PNP型三极管,所述第二三极管T2为NPN型三极管。

5.根据权利要求1所述的一种控制电路,其特征在于,所述电压偏置电路由第一稳压二极管D1、第一电阻R1和第二稳压二极管D2构成。

6.根据权利要求1所述的一种控制电路,其特征在于,所述第一三极管T1的基极与第一电阻R1的第一端相连,同时所述第一三极管T1的基极与第一稳压二极管D1的阳极相连,所述第一三极管T1的发射极和第二电阻R2相连,所述第一三级管T1的集电极与模拟开关芯片U1的第三引脚相连;所述第二三极管T2的基极与电阻R1的第二端相连,同时所述第二三级管T2的基极与第二稳压二极管D2的阴极相连,所述第二三极管T2的发射极与第三电阻R3相连,所述第二三极管T2的集电极与模拟开关芯片U1的第二引脚相连。

7.一种无触点开关,其特征在于,包括如权利要求1-6任意一项所述的控制电路。

8.根据权利要求7所述的一种无触点开关,其特征在于,所述电子开关电路为N-MOS场效应管开关电路。

9.根据权利要求8所述的一种无触点开关,其特征在于,所述电子开关电路中,第一N-MOS管Q1的栅极连接所述模拟开关芯片U1的第三引脚,同时所述第一N-MOS管Q1的栅极连接所述第一三极管T1的集电极,第一N-MOS管的漏极连接电源,第一N-MOS管Q1的源极与第二N-MOS管Q2的源极相连;第二N-MOS管Q2的栅极与所述第一N-MOS管的栅极相连,所述第二N-MOS管Q2的源极与所述第一N-MOS管的源极相连,所述第二N-MOS管Q2的漏极连接负载。

10.根据权利要求9所述的一种无触点开关,其特征在于,所述电子开关电路为双向导通电路。