1.兼具高隔离度和稳定输入匹配的毫米波开关键控调制器，其特征在于：包括共源级电路、变压器T1、改进型层叠共栅级开关电路；共源级电路和改进型层叠共栅级开关电路之间通过变压器T1进行耦合；

所述改进型层叠共栅级开关电路为在传统型层叠共栅级开关电路中加入串联电感LS2、下层开关晶体管M4、上层开关晶体管M5；其中，下、上层开关晶体管M4和M5的漏极分别与传统型层叠共栅级开关电路的下、上层共栅级晶体管的源极连接，栅极与传统型层叠共栅级开关电路的第一级反相器I1的输出端、第二级反相器I2的输入端连接，源极接地；串联电感LS2连接在传统型层叠共栅级开关电路的下层共栅级晶体管的漏极和上层共栅级晶体管的源极之间。

2.根据权利要求1所述的兼具高隔离度和稳定输入匹配的毫米波开关键控调制器，其特征在于：

当控制信号为高电平时，下层共栅级晶体管M2和上层共栅级晶体管M3处于饱和区，下层开关晶体管M4和上层开关晶体管M5处于截止区，改进型层叠共栅级开关电路处于导通状态；

通过调控串联电感LS2的感值使串联电感LS2抵消部分晶体管的寄生电容对电路增益的影响，同时保持改进型层叠共栅级开关电路导通状态下的输入阻抗ZX_ON在工作频带内的频率非相关性。

3.根据权利要求1所述的兼具高隔离度和稳定输入匹配的毫米波开关键控调制器，其特征在于：

当控制信号为低电平时，上层共栅级晶体管M3处于截止区，下层共栅级晶体管M2、下层开关晶体管M4和上层开关晶体管M5处于深线性区，改进型层叠共栅级开关电路处于关断状态；处于深线性区的晶体管可以等效为阻值可控的线性电阻，其阻值Ron可以表示为：其中，L和W分别为晶体管的栅长和栅宽，VGS为晶体管栅极和源极之间的电压，μnCox为工艺常数，VTH为阈值电压；

通过调整下层开关晶体管M4和上层开关晶体管M5的栅宽优化阻值，使改进型层叠共栅级开关电路在关断状态下的输入阻抗(ZX_OFF)接近ZX_ON，以减小改进型层叠共栅级开关电路在开/关状态下的输入阻抗变化。

4.根据权利要求1‑3任一所述的兼具高隔离度和稳定输入匹配的毫米波开关键控调制器，其特征在于：共源级电路始终处于导通状态。

5.根据权利要求4所述的兼具高隔离度和稳定输入匹配的毫米波开关键控调制器，其特征在于：所述共源级电路包括共源级晶体管M1、负反馈电感LS1、输入匹配及偏置网络，所述变压器T1包括初级线圈、次级线圈，所述改进型层叠共栅级开关电路包括下层共栅级晶体管M2、上层共栅级晶体管M3、串联电感LS2、下层开关晶体管M4、上层开关晶体管M5、第一反相器I1、第二反相器I2、旁路电容Cb、输出匹配及偏置网络；

共源级晶体管M1的栅极与输入匹配及偏置网络连接，源极与负反馈电感LS1的一端连接，漏极与变压器T1的初级线圈的一端连接；变压器T1的初级线圈的另一端与电源电压连接，负反馈电感LS1的另一端接地；变压器T1的次级线圈的一端接地，另一端与下层共栅级晶体管M2的源极、下层开关晶体管M4的漏极连接；串联电感LS2的一端与下层共栅级晶体管M2的漏极连接，另一端与上层共栅级晶体管M3的源极、上层开关晶体管M5的漏极连接；上层开关晶体管M5的栅极与下层开关晶体管M4的栅极、第一反相器I1的输出端、第二反相器I2的输入端连接，上层开关晶体管M5的源极与下层开关晶体管M4的源极接地；上层共栅级晶体管M3的漏极与输出匹配及偏置网络连接，栅极与第二反相器I2的输出端、旁路电容Cb的一端连接，旁路电容Cb的另一端接地。